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2022
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IEEE journal of the Electron Devices Society, 2020, Vol.8, p.92-98
2020
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IEEE electron device letters, 2011-10, Vol.32 (10), p.1412-1414
2011
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IEEE journal of the Electron Devices Society, 2019, Vol.7, p.1047-1054
2019
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International journal of hydrogen energy, 2012-12, Vol.37 (23), p.18579-18587
2012
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IEEE transactions on electron devices, 2005-02, Vol.52 (2), p.204-210
2005
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IEEE transactions on electron devices, 2007-09, Vol.54 (9), p.2411-2417
2007
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Solid-state electronics, 2016-12, Vol.126, p.109-114
2016
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IEEE journal of the Electron Devices Society, 2020, Vol.8, p.170-170
2020
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ECS journal of solid state science and technology, 2019, Vol.8 (10), p.Q211-Q216
2019
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International journal of hydrogen energy, 2011-11, Vol.36 (23), p.15446-15454
2011
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Surface treatment effect on temperature-dependent properties of InGaP∕GaAs heterobipolar transistors
2007
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International journal of hydrogen energy, 2009-07, Vol.34 (13), p.5604-5615
2009
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Sensors and actuators. B, Chemical, 2009-05, Vol.138 (2), p.422-427
2009
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Thin solid films, 2012-10, Vol.521, p.168-171
2012
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Thin solid films, 2012-10, Vol.521, p.172-175
2012
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Sensors and actuators. B, Chemical, 2009-09, Vol.141 (2), p.532-537
2009
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Sensors and actuators. A. Physical., 2022-11, Vol.347, p.113911, Article 113911
2022
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IEEE electron device letters, 2008-12, Vol.29 (12), p.1328-1331
2008
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Semiconductor science and technology, 2009-04, Vol.24 (4), p.045007-045007 (4)
2009
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-04, Vol.46 (4), p.514-518
2012
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-09, Vol.45 (9), p.1231-1233
2011
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2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 2008, p.75-77
2008
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Applied physics letters, 1999-04, Vol.74 (15), p.2155-2157
1999
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Japanese Journal of Applied Physics, 2005-10, Vol.44 (10R), p.7476
2005
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