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Optimization of Active Geometry Configuration and Shallow Trench Isolation (STI) Stress for Advanced CMOS Devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-04, Vol.43 (4S), p.1756
2004
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Bias-temperature stability of nitrided oxides and reoxidized nitrided oxides
Journal of electronic materials, 1989-11, Vol.18 (6), p.767-773
1989
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Reliability investigations on a unique direct-tunneling-induced high performance partially-depleted SOI PMOS device
2004 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings, 2004, p.679-680
2004
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A novel high aspect ratio FinFET with cobalt fully silicided gate structure
IEEE VLSI-TSA International Symposium on VLSI Technology, 2005. (VLSI-TSA-Tech), 2005, p.114-115
2005
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Reliability investigation upon 30 nm gate length ultra-high aspect ratio FinFETs
2005 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual, 2005, p.541-544
2005
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Reliability of MOSFET gate insulator layers at high temperatures
1990
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Reliability investigations on a unique direct-tunneling-induced high performance partially-depleted SOI PMOS devcie
2004
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Hot carrier induced HFE degradation in BiCMOS transistors
30th Annual Proceedings Reliability Physics 1992, 1992, p.58-62
1992
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