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Low-k material damage during photoresist ashing process
Journal of applied physics, 2015-05, Vol.117 (17)
2015
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Effects of RF-Bias Power Application in an Inductively Coupled CF4 Plasma on the Nanoscale Morphology and Chemical Bond Structure of Polyethylene Terephthalate Surface
IEEE transactions on plasma science, 2014-12, Vol.42 (12), p.4004-4009
2014
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Characteristics of reactive ion etching lag in HBr/O2 plasma etching of silicon trench for nanoscale device
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-02, Vol.53 (3)
2014
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High rate dry etching of InGaZnO by BCl3/O2 plasma
Applied physics letters, 2011-08, Vol.99 (6)
2011
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F and O radicals and ion energy distribution in etching of silicon via hole in a weakly-magnetized, inductively-coupled SF6/O2 plasma
Journal of the Korean Physical Society, 2014, 65(9), , pp.1399-1403
2014
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Study on Tunnel Oxide Degradation by Metal Pad Etch-Induced Plasma Damage in 0.04 μm Flash Memory Technology
Journal of the Korean Physical Society, 2009, 55(1), , pp.346-351
2009
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Effects of RF-Bias Power Application in an Inductively Coupled CF sub(4) Plasma on the Nanoscale Morphology and Chemical Bond Structure of Polyethylene Terephthalate Surface
IEEE transactions on plasma science, 2014-12, Vol.42 (12), p.4004-4009
2014
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Effect of bias application to plasma density in weakly magnetized inductively coupled plasma
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2013-07, Vol.31 (4)
2013
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Characteristics of reactive ion etching lag in HBr/O 2 plasma etching of silicon trench for nanoscale device
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-03, Vol.53 (3), p.36502
2014
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Study on spatial distribution of plasma parameters in a magnetized inductively coupled plasma
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2015-07, Vol.33 (4)
2015
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Dry etching characteristics of TaN absorber for extreme ultraviolet mask with Ru buffer layer
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2012-07, Vol.30 (4), p.041301-041301-5
2012
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F and O Radicals and Ion Energy Distribution in Etching of Silicon Via Hole in a Weakly-magnetized, Inductively-coupled SF6/O2 plasma
Journal of the Korean Physical Society, 2014-11, p.1399-1403
2014
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High rate dry etching of InGaZnO by BCl 3 /O 2 plasma
Applied physics letters, 2011-08, Vol.99 (6), p.062110-062110-3
2011
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Characteristics of reactive ion etching lag in HBr/O sub(2) plasma etching of silicon trench for nanoscale device
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-01, Vol.53 (3), p.036502-1-036502-7
2014
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Study on Tunnel Oxide Degradation by Metal Pad Etch-Induced Plasma Damage in 0.04 μm Flash Memory Technology
Journal of the Korean Physical Society, 2009-07, p.346-351
2009
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Open Access
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Internet Teleoperation of a Robot with Streaming Buffer System under Varying Time Delays
JSME International Journal Series C Mechanical Systems, Machine Elements and Manufacturing, 2003, Vol.46(4), pp.1604-1610
2003
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A novel template update method for IR seeker
2009 34th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, 2009, p.1-2
2009
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