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Influences of Microhole Depth and SiO2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer on the Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes
IEEE transactions on electron devices, 2019-10, Vol.66 (10), p.4211-4215
2019
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Performance Improvement of GaN-Based Light-Emitting Diodes With a Microhole Array, 45° Sidewalls, and a SiO2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer
IEEE transactions on electron devices, 2019-01, Vol.66 (1), p.505-511
2019
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Study of a GaN-Based Light-Emitting Diode with a Specific Hybrid Structure
ECS journal of solid state science and technology, 2021-04, Vol.10 (4), p.45001
2021
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Influences of Microhole Depth and SiO 2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer on the Performance of GaN-Based Light-Emitting Diodes
IEEE transactions on electron devices, 2019-10, Vol.66 (10), p.4211-4215
2019
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