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High precision epidermal radio frequency antenna via nanofiber network for wireless stretchable multifunction electronics
Nature communications, 2020-11, Vol.11 (1), p.5629-10, Article 5629
2020
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Lateral 2D WSe2 p–n Homojunction Formed by Efficient Charge‐Carrier‐Type Modulation for High‐Performance Optoelectronics
Advanced materials (Weinheim), 2020-03, Vol.32 (9), p.e1906499-n/a
2020
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Electrical performance of multilayer MoS2 transistors on high- κ Al2O3 coated Si substrates
AIP advances, 2015-05, Vol.5 (5), p.057102-057102-7
2015
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Tunable Tribotronic Dual‐Gate Logic Devices Based on 2D MoS2 and Black Phosphorus
Advanced materials (Weinheim), 2018-03, Vol.30 (13), p.e1705088-n/a
2018
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Enhanced stability of black phosphorus field-effect transistors with SiO2 passivation
Nanotechnology, 2015-10, Vol.26 (43), p.435702-435702
2015
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Piezoelectricity in Multilayer Black Phosphorus for Piezotronics and Nanogenerators
Advanced materials (Weinheim), 2020-02, Vol.32 (7), p.e1905795-n/a
2020
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Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors
Advanced materials (Weinheim), 2016-11, Vol.28 (42), p.9408-9415
2016
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High-performance Sb-doped p-ZnO NW films for self-powered piezoelectric strain sensors
Nano energy, 2020-07, Vol.73, p.104744, Article 104744
2020
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In2O3 Nanowire Field-Effect Transistors with Sub-60 mV/dec Subthreshold Swing Stemming from Negative Capacitance and Their Logic Applications
ACS nano, 2018-09, Vol.12 (9), p.9608-9616
2018
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Progress in piezotronic and piezo-phototronic effect of 2D materials
2d materials, 2018-10, Vol.5 (4), p.42003
2018
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Anisotropic Carrier Mobility from 2H WSe2
Advanced materials (Weinheim), 2022-02, Vol.34 (7), p.e2108615-n/a
2022
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Coupled Ion‐Gel Channel‐Width Gating and Piezotronic Interface Gating in ZnO Nanowire Devices
Advanced functional materials, 2019-10, Vol.29 (41), p.n/a
2019
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Investigating the interlayer electron transport and its influence on the whole electric properties of black phosphorus
Science bulletin, 2019-02, Vol.64 (4), p.254-260
2019
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Anisotropic Carrier Mobility from 2H WSe 2
Advanced materials (Weinheim), 2022-02, Vol.34 (7), p.e2108615
2022
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Recent Advances in Large‐Scale Tactile Sensor Arrays Based on a Transistor Matrix
Advanced materials interfaces, 2018-11, Vol.5 (21), p.n/a
2018
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High‐Performance Optoelectronics: Lateral 2D WSe2 p–n Homojunction Formed by Efficient Charge‐Carrier‐Type Modulation for High‐Performance Optoelectronics (Adv. Mater. 9/2020)
Advanced materials (Weinheim), 2020-03, Vol.32 (9), p.n/a
2020
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High‐Performance Optoelectronics: Lateral 2D WSe 2 p–n Homojunction Formed by Efficient Charge‐Carrier‐Type Modulation for High‐Performance Optoelectronics (Adv. Mater. 9/2020)
Advanced materials (Weinheim), 2020-03, Vol.32 (9)
2020
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Lateral 2D WSe 2 p-n Homojunction Formed by Efficient Charge-Carrier-Type Modulation for High-Performance Optoelectronics
Advanced materials (Weinheim), 2020-03, Vol.32 (9), p.e1906499
2020
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In 2 O 3 Nanowire Field-Effect Transistors with Sub-60 mV/dec Subthreshold Swing Stemming from Negative Capacitance and Their Logic Applications
ACS nano, 2018-09, Vol.12 (9), p.9608-9616
2018
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Tunable Tribotronic Dual-Gate Logic Devices Based on 2D MoS 2 and Black Phosphorus
Advanced materials (Weinheim), 2018-03, Vol.30 (13), p.e1705088
2018
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Enhanced stability of black phosphorus field-effect transistors with SiO sub(2) passivation
Nanotechnology, 2015-10, Vol.26 (43), p.1-6
2015
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Enhanced stability of black phosphorus field-effect transistors with SiO 2 passivation
Nanotechnology, 2015-10, Vol.26 (43), p.435702
2015
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Facile access to shape-controlled growth of WS2 monolayer via environment-friendly method
2d materials, 2019-01, Vol.6 (1)
2019
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Enhanced Stability of Black Phosphorus Field‐Effect Transistors via Hydrogen Treatment
Advanced electronic materials, 2018-02, Vol.4 (2), p.n/a
2018
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Facile access to shape-controlled growth of WS 2 monolayer via environment-friendly method
2d materials, 2018-10, Vol.6 (1), p.15007
2018
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