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Epitaxial growth of GaSb and InAs fins on 300 mm Si (001) by aspect ratio trapping
Journal of applied physics, 2016-08, Vol.120 (8)
2016
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GaAs on Si epitaxy by aspect ratio trapping: Analysis and reduction of defects propagating along the trench direction
Journal of applied physics, 2015-09, Vol.118 (10)
2015
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STLM: A Sidewall TLM Structure for Accurate Extraction of Ultralow Specific Contact Resistivity
IEEE electron device letters, 2013-09, Vol.34 (9), p.1082-1084
2013
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Growth and characterization of an In0.53Ga0.47As-based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor (MOSCAP) structure on 300mm on-axis Si (001) wafers by MOCVD
Journal of crystal growth, 2015-10, Vol.427, p.72-79
2015
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Growth and characterization of an In sub(0.53)Ga sub(0.47)As-based Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor (MOSCAP) structure on 300 mm on-axis Si (001) wafers by MOCVD
Journal of crystal growth, 2015-01, Vol.427, p.72-79
2015
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Contact resistance improvement by dielectric breakdown in semiconductor-dielectric-metal contact
Applied physics letters, 2013-03, Vol.102 (11)
2013
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Backside and edge cleaning of III-V on Si wafers for contamination free manufacturing
2015 26th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC), 2015, p.362-366
2015
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Effect of impurity implantation on the microstructures and electrical characteristics of SIMOX substrates
1992
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Application of cluster Ion (carbon) implantation for strain applications
2012 12th International Workshop on Junction Technology, 2012, p.42-47
2012
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Time lag and permeation in multilayer polymer coatings
IEEE transactions on components, hybrids, and manufacturing technology, 1993-08, Vol.16 (5), p.517-522
1993
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