Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Sortiert nach
Einfacher Volltextzugriff von (fast) überall
Installieren Sie die LibKey Nomad-Browsererweiterung und erhalten Sie von vielen Webseiten einfachen Zugriff auf lizenzierte Volltexte oder Open Access Publikationen. Mehr erfahren...
Open Access
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Impact of acceptor concentration on electrical properties and density of interface states of 4H-SiC n-metal-oxide-semiconductor field effect transistors studied by Hall effect
Applied physics letters, 2015-02, Vol.106 (6)
2015
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Hall Effect Characterization of 4H-SiC MOSFETs: Influence of Nitrogen Channel Implantation
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.525-528
2013
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties in N-Channel 4H-SiC MOSFETs
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.483-486
2014
Volltextzugriff (PDF)
Open Access
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Effect of Bulk Potential Engineering on the Transport Properties of SiC MOSFETs: Characterization and Interpretation
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.737-740
2015
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in Lateral 4H-SiC MOSFETs
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.583-586
2014
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Impact of Fabrication Process on Electrical Properties and on Interfacial Density of States in 4H-SiC n-MOSFETs Studied by Hall Effect
Materials science forum, 2014-10, Vol.806, p.127-132
2014
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
On the Temperature Dependence of the Hall Factor in n-Channel 4H-SiC MOSFETs
ECS transactions, 2013, Vol.58 (4), p.81-86
2013
Volltextzugriff (PDF)
Open Access
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Influence of Ion Implantation in SiC on the Channel Mobility in Lateral N-Channel MOSFETs
ECS transactions, 2013, Vol.58 (4), p.71-80
2013
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Correlation of Interface Characteristics to Electron Mobility in Channel-Implanted 4H-SiC Mosfets
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.537-540
2013
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Verification of Near-Interface Traps Models by Electrical Measurements on 4H-SiC n-Channel Mosfets
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.533-536
2013
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Characterization of n-channel MOSFETs: Electrical measurements and simulation analysis
2013 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2013, p.242-245
2013
Volltextzugriff (PDF)
Open Access
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
On the calculation of Hall factors for the characterization of electronic devices
Proceedings of the 2013 9th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), 2013, p.241-244
2013
Volltextzugriff (PDF)
1 – 12 von 12
Suche als RSS-Feed
Suchergebnisse filtern
Filter anzeigen