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Fabrication of 4H-SiC PiN diodes on substrate grown by HTCVD method
Japanese Journal of Applied Physics, 2020-04, Vol.59 (SG), p.SGGD07
2020
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Analysis and Reduction of Stacking Faults in Fast Epitaxial Growth
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.173-176
2016
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The dissociation modes of threading screw dislocations in 4H-SiC
Philosophical magazine letters, 2013-10, Vol.93 (10), p.591-600
2013
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Estimation of Influence on Carbon Vacancy Regarding 4H-SiC Substrate Grown by HTCVD Method
Solid state phenomena, 2024-08, Vol.362, p.13-17
2024
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Fast 4H-SiC Bulk Growth by High-Temperature Gas Source Method
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.5-13
2020
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Quality Evaluation of 150 mm 4H-SiC Grown at over 1.5 mm/h by High-Temperature Chemical Vapor Deposition Method
Solid state phenomena, 2023-05, Vol.342, p.105-112
2023
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Characterization of Threading Screw Dislocations of Burgers Vectors with A-Components in 4H-SiC
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.401-404
2016
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Threading dislocation with b=c+2a in 4H-SiC as determined by LACBED
Philosophical magazine letters, 2015-10, Vol.95 (10), p.489-495
2015
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Transmission electron microscope study of a threading dislocation with and its effect on leakage in a 4H-SiC MOSFET
Philosophical magazine letters, 2013-08, Vol.93 (8), p.439-447
2013
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Advances in Fast Epitaxial Growth of 4H-SiC and Defect Reduction
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.119-124
2016
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Transmission electron microscope study of a threading dislocation with b = [0001] + {1100} and its effect on leakage in a 4H-SiC MOSFET
Philosophical magazine letters, 2013-08, Vol.93 (8), p.439
2013
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Transmission electron microscope study of a threading dislocation with b = [0001] + 〈1100〉 and its effect on leakage in a 4H―SiC MOSFET
Philosophical magazine letters, 2013, Vol.93 (7-9), p.439-447
2013
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71.3: Quantification of Water Penetration and Degradation through Adhesives Applicable to Flexible OLED Design
SID International Symposium Digest of technical papers, 2015-06, Vol.46 (1), p.1051-1054
2015
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