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2019
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IEEE transactions on electron devices, 2006-10, Vol.53 (10), p.2582-2588
2006
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IEEE electron device letters, 2005-11, Vol.26 (11), p.836-838
2005
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2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016, p.1-2
- Guo, D.
- Karve, G.
- Tsutsui, G.
- Lim, K.-Y
- Robison, R.
- Hook, T.
- Vega, R.
- Liu, D.
- Bedell, S.
- Mochizuki, S.
- Lie, F.
- Akarvardar, K.
- Wang, M.
- Bao, R.
- Burns, S.
- Chan, V.
- Cheng, K.
- Demarest, J.
- Fronheiser, J.
- Hashemi, P.
- Kelly, J.
- Li, J.
- Loubet, N.
- Montanini, P.
- Sahu, B.
- Sankarapandian, M.
- Sieg, S.
- Sporre, J.
- Strane, J.
- Southwick, R.
- Tripathi, N.
- Venigalla, R.
- Wang, J.
- Watanabe, K.
- Yeung, C. W.
- Gupta, D.
- Doris, B.
- Felix, N.
- Jacob, A.
- Jagannathan, H.
- Kanakasabapathy, S.
- Mo, R.
- Narayanan, V.
- Sadana, D.
- Oldiges, P.
- Stathis, J.
- Yamashita, T.
- Paruchuri, V.
- Colburn, M.
- Knorr, A.
- Divakaruni, R.
- Bu, H.
- Khare, M.
2016
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IEEE transactions on nanotechnology, 2005-05, Vol.4 (3), p.369-373
2005
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IBM journal of research and development, 2006-07, Vol.50 (4.5), p.411-418
2006
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2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2021, p.26.1.1-26.1.4
- Jagannathan, H.
- Anderson, B.
- Sohn, C-W.
- Tsutsui, G.
- Strane, J.
- Xie, R.
- Fan, S.
- Kim, K-I.
- Song, S.
- Sieg, S.
- Seshadri, I.
- Mochizuki, S.
- Wang, J.
- Rahman, A.
- Cheon, K-Y.
- Hwang, I.
- Demarest, J.
- Do, J.
- Fullam, J.
- Jo, G.
- Hong, B.
- Jung, Y.
- Kim, M.
- Kim, S.
- Lallement, R.
- Levin, T.
- Li, J.
- Miller, E.
- Montanini, P.
- Pujari, R.
- Osborn, C.
- Sankarapandian, M.
- Son, G-H.
- Waskiewicz, C.
- Wu, H.
- Yim, J.
- Young, A.
- Zhang, C.
- Varghese, A.
- Robison, R.
- Burns, S.
- Zhao, K.
- Yamashita, T.
- Dechene, D.
- Guo, D.
- Divakaruni, R.
- Wu, T.
- Seo, K-I.
- Bu, H.
2021
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2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, p.1-2
- Khakifirooz, A.
- Sreenivasan, R.
- Taber, B. N.
- Allibert, F.
- Hashemi, P.
- Chern, W.
- Xu, N.
- Wall, E. C.
- Mochizuki, S.
- Li, J.
- Yin, Y.
- Loubet, N.
- Reznicek, A.
- Mignot, S. M.
- Lu, D.
- He, H.
- Yamashita, T.
- Morin, P.
- Tsutsui, G.
- Chen, C-Y
- Basker, V. S.
- Standaert, T. E.
- Cheng, K.
- Levin, T.
- Nguyen, B. Y.
- Liu, T-S King
- Guo, D.
- Bu, H.
- Rim, K.
- Doris, B.
2013
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Japanese Journal of Applied Physics, 2001-01, Vol.40 (1R), p.346
2001
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2013 IEEE International Electron Devices Meeting, 2013, p.9.2.1-9.2.4
- Liu, Q.
- Vinet, M.
- Gimbert, J.
- Loubet, N.
- Wacquez, R.
- Grenouillet, L.
- Le Tiec, Y.
- Khakifirooz, A.
- Nagumo, T.
- Cheng, K.
- Kothari, H.
- Chanemougame, D.
- Chafik, F.
- Guillaumet, S.
- Kuss, J.
- Allibert, F.
- Tsutsui, G.
- Li, J.
- Morin, P.
- Mehta, S.
- Johnson, R.
- Edge, L. F.
- Ponoth, S.
- Levin, T.
- Kanakasabapathy, S.
- Haran, B.
- Bu, H.
- Bataillon, J.-L
- Weber, O.
- Faynot, O.
- Josse, E.
- Haond, M.
- Kleemeier, W.
- Khare, M.
- Skotnicki, T.
- Luning, S.
- Doris, B.
- Celik, M.
- Sampson, R.
2013
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2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, p.34.4.1-34.4.4
- Tsutsui, G.
- Song, S.
- Strane, J.
- Xie, R.
- Qin, L.
- Zhang, C.
- Schmidt, D.
- Fan, S.
- Hong, B.
- Jung, Y.
- Sohn, C-W.
- Hwang, I.
- Yim, J.
- Son, G. H.
- Jo, G.
- Kim, K-I.
- Sankarapandian, M.
- Mochizuki, S.
- Seshadri, I.
- Miller, E.
- Li, J.
- Demarest, J.
- Waskiewicz, C.
- Southwick, R. G.
- Zhou, H.
- Pujari, R. N.
- Nieves, P.
- Wang, M.
- Jagannathan, H.
- Anderson, B.
- Guo, D.
- Divakaruni, R.
- Wu, T.
- Seo, K-I.
- Bu, H.
2022
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IEEE transactions on nanotechnology, 2003-12, Vol.2 (4), p.314-318
2003
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2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers, 2014, p.1-2
- Seo, K.-I
- Haran, B.
- Gupta, D.
- Guo, D.
- Standaert, T.
- Xie, R.
- Shang, H.
- Alptekin, E.
- Bae, D.-I
- Bae, G.
- Boye, C.
- Cai, H.
- Chanemougame, D.
- Chao, R.
- Cheng, K.
- Cho, J.
- Choi, K.
- Hamieh, B.
- Hong, J. G.
- Hook, T.
- Jang, L.
- Jung, J.
- Jung, R.
- Lee, D.
- Lherron, B.
- Kambhampati, R.
- Kim, B.
- Kim, H.
- Kim, K.
- Kim, T. S.
- Ko, S.-B
- Lie, F. L.
- Liu, D.
- Mallela, H.
- Mclellan, E.
- Mehta, S.
- Montanini, P.
- Mottura, M.
- Nam, J.
- Nam, S.
- Nelson, F.
- Ok, I.
- Park, C.
- Park, Y.
- Paul, A.
- Prindle, C.
- Ramachandran, R.
- Sankarapandian, M.
- Sardesai, V.
- Scholze, A.
- Seo, S.-C
- Shearer, J.
- Southwick, R.
- Sreenivasan, R.
- Stieg, S.
- Strane, J.
- Sun, X.
- Sung, M. G.
- Surisetty, C.
- Tsutsui, G.
- Tripathi, N.
- Vega, R.
- Waskiewicz, C.
- Weybright, M.
- Yeh, C.-C
- Bu, H.
- Burns, S.
- Canaperi, D.
- Celik, M.
- Colburn, M.
- Jagannathan, H.
- Kanakasabaphthy, S.
- Kleemeier, W.
- Liebmann, L.
- Mcherron, D.
- Oldiges, P.
- Paruchuri, V.
- Spooner, T.
- Stathis, J.
- Divakaruni, R.
- Gow, T.
- Iacoponi, J.
- Jenq, J.
- Sampson, R.
- Khare, M.
2014
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Japanese Journal of Applied Physics, 2001-05, Vol.40 (5 B), p.L521-L523
2001
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2013 IEEE International Electron Devices Meeting, 2013, p.13.5.1-13.5.4
2013
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2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016, p.1-2
- Adusumilli, P.
- Alptekin, E.
- Raymond, M.
- Breil, N.
- Chafik, F.
- Lavoie, C.
- Ferrer, D.
- Jain, S.
- Kamineni, V.
- Ozcan, A.
- Allen, S.
- An, J. J.
- Basker, V.
- Bolam, R.
- Bu, H.
- Cai, J.
- Demarest, J.
- Doris, B.
- Engbrecht, E.
- Fan, S.
- Fronheiser, J.
- Gluschenkov, O.
- Guo, D.
- Haran, B.
- Hilscher, D.
- Jagannathan, H.
- Kang, D.
- Ke, Y.
- Kim, J.
- Koswatta, S.
- Kumar, A.
- Labonte, A.
- Lallement, R.
- Lee, W.
- Lee, Y.
- Li, J.
- Lin, C.-H
- Liu, B.
- Liu, Z.
- Loubet, N.
- Makela, N.
- Mochizuki, S.
- Morgenfeld, B.
- Narasimha, S.
- Nesheiwat, T.
- Niimi, H.
- Niu, C.
- Oh, M.
- Park, C.
- Ramachandran, R.
- Rice, J.
- Sardesai, V.
- Shearer, J.
- Sheraw, C.
- Tran, C.
- Tsutsui, G.
- Utomo, H.
- Wong, K.
- Xie, R.
- Yamashita, T.
- Yan, Y.
- Yeh, C.
- Yu, M.
- Zamdmer, N.
- Zhan, N.
- Zhang, B.
- Paruchuri, V.
- Goldberg, C.
- Kleemeier, W.
- Stiffler, S.
- Divakaruni, R.
- Henson, W.
2016
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IEEE electron device letters, 2005-11, Vol.26 (11), p.836-838
2005
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2014 SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2014, p.1-3
2014
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ECS transactions, 2007, Vol.11 (6), p.161-172
2007
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IEEE transactions on nanotechnology, 2007-05, Vol.6 (3), p.358-361
2007
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Solid-state electronics, 2005-06, Vol.49 (6), p.997-1001
2005
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IEEE transactions on nanotechnology, 2007-05, Vol.6 (3), p.358-361
2007
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Solid-state electronics, 2004-10, Vol.48 (10), p.1763-1766
2004
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Japanese Journal of Applied Physics, 2005-06, Vol.44 (6R), p.3889
2005
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2007 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2007, p.176-177
2007
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