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Demonstration of High Endurance and Retention Spin-Transfer-Torque-Assisted Field-Free Perpendicular Spin-Orbit Torque Cells by an Etch-Stop-on-MgO Process
IEEE electron device letters, 2022-10, Vol.43 (10), p.1661-1664
2022
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Thermally Robust Perpendicular SOT-MTJ Memory Cells With STT-Assisted Field-Free Switching
IEEE transactions on electron devices, 2021-12, Vol.68 (12), p.6623-6628
2021
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First Demonstration of Interface-Enhanced SAF Enabling 400°C-Robust 42 nm p-SOT-MTJ Cells with STT-Assisted Field-Free Switching and Composite Channels
2021 Symposium on VLSI Technology, 2021, p.1-2
2021
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Critical Current Reduction of Field-Free Perpendicular SOT-MTJ by STT Assist Using Micromagnetic Simulation
2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2021, p.159-162
2021
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Open Access
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Write Margin Analysis of Spin-Orbit Torque Switching Using Field-Assisted Method
IEEE journal on exploratory solid-state computational devices and circuits, 2019-12, Vol.5 (2), p.173-181
2019
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Novel Vertically-Stacked Tensily-Strained Ge0.85Si0.15 GAA n-Channels on a Si Channel with \mathrm=76\mathrm/\mathrm, \mathrm =36\mathrm/\mathrm, and \mathrm}/\mathrm}=1.2\mathrm7
2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2019, p.1-2
2019
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Vertically Stacked Strained 3-GeSn-Nanosheet pGAAFETs on Si Using GeSn/Ge CVD Epitaxial Growth and the Optimum Selective Channel Release Process
IEEE electron device letters, 2018-09, Vol.39 (9), p.1274-1277
2018
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Field-free Spin-orbit Torque Switching of Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Utilizing Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Pulse Width Optimization
2018 Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), 2018, p.1-5
2018
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High-Mobility CVD-Grown Ge/Strained Ge 0.9 Sn 0.1 /Ge Quantum-Well pMOSFETs on Si by Optimizing Ge Cap Thickness
IEEE transactions on electron devices, 2017-06, Vol.64 (6), p.2498-2504
2017
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High-Mobility CVD-Grown Ge/Strained Ge0.9Sn0.1/Ge Quantum-Well pMOSFETs on Si by Optimizing Ge Cap Thickness
IEEE transactions on electron devices, 2017-06, Vol.64 (6), p.2498-2504
2017
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First vertically stacked GeSn nanowire pGAAFETs with Ion = 1850μA/μm (Vov = Vds = −1V) on Si by GeSn/Ge CVD epitaxial growth and optimum selective etching
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017, p.37.5.1-37.5.4
2017
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