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Investigation of Threshold Voltage and Drain Current Degradations in Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under X-Ray Irradiation
IEEE transactions on electron devices, 2023-05, Vol.70 (5), p.2216-2221
2023
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Performance Improvement by Enhancing Passivation Layer of p-Type GaN High-Electron Mobility Transistors With Supercritical Oxygen Treatment
IEEE electron device letters, 2023-02, Vol.44 (2), p.213-216
2023
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Performance and Reliability Optimization of Supercritical-Nitridation-Treated AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2021-09, Vol.68 (9), p.4317-4321
2021
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P-type conductive Ga2O3 epilayers grown on sapphire substrate by phosphorus-ion implantation technology
Materials today advances, 2023-12, Vol.20, p.100436, Article 100436
2023
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The Transition of Threshold Voltage Shift of Al2O3/Si3N4 AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under Negative Gate Bias Stress From DC to AC
IEEE transactions on electron devices, 2024-03, Vol.71 (3), p.1792-1797
2024
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Analysis of Abnormal Current Rise Mechanism in GaN-MIS HEMT With Al2O3/Si3N4 Gate Insulator Under Hot Switching
IEEE transactions on electron devices, 2022-08, Vol.69 (8), p.4218-4223
2022
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Forming-Free HfO2-Based Resistive Random Access Memory by X-Ray Irradiation
IEEE transactions on electron devices, 2022-12, Vol.69 (12), p.6705
2022
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Performance improvement of Zn0.5Mg0.5O UV sensor by supercritical fluid technology
Materials science in semiconductor processing, 2023-05, Vol.158, p.107343, Article 107343
2023
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Comparative study on characteristics of GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 and Si3N4 gate insulators under Hot Carrier Degradation
2023 35th International Conference on Microelectronic Test Structure (ICMTS), 2023, p.1-4
2023
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Enhancing gate turn-off thyristor blocking characteristics by low temperature defect passivation technology
Semiconductor science and technology, 2021-08, Vol.36 (8), p.85005
2021
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Heteroepitaxially grown homojunction gallium oxide PN diodes using ion implantation technologies
Materials today advances, 2024-06, Vol.22, p.100499, Article 100499
2024
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Analysis of Abnormal Current Rise Mechanism in GaN-MIS HEMT With Al 2 O 3 /Si 3 N 4 Gate Insulator Under Hot Switching
IEEE transactions on electron devices, 2022-08, Vol.69 (8), p.4218-4223
2022
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The Transition of Threshold Voltage Shift of Al 2 O 3 /Si 3 N 4 AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under Negative Gate Bias Stress From DC to AC
IEEE transactions on electron devices, 2024-03, Vol.71 (3), p.1792-1797
2024
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Investigation of Threshold Voltage and Drain Current Degradations in Si 3 N 4 /AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under X-Ray Irradiation
IEEE transactions on electron devices, 2023-05, Vol.70 (5), p.2216-2221
2023
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Forming-Free HfO 2 -Based Resistive Random Access Memory by X-Ray Irradiation
IEEE transactions on electron devices, 2022-12, Vol.69 (12), p.6705-6709
2022
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Forming-Free HfO } -Based Resistive Random Access Memory by X-Ray Irradiation
IEEE transactions on electron devices, 2022, p.1-5
2022
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Analysis of the Extraction Method and Mechanism of Hot Carrier Degradation in Al2O3/Si3N4 Bilayer Gate Dielectric AlGaN/GaN MIS-HEMTs
IEEE transactions on device and materials reliability, 2023-12, Vol.23 (4), p.510-515
2023
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電子支付法制之再建構
臺灣財經法學論叢, 2024-01, Vol.6 (1)
2024
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Analysis of the Extraction Method and Mechanism of Hot Carrier Degradation in Al 2 O 3 /Si 3 N 4 Bilayer Gate Dielectric AlGaN/GaN MIS-HEMTs
IEEE transactions on device and materials reliability, 2023-12, Vol.23 (4), p.510-515
2023
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公司社會責任與股東利益最大化原則－以日本法為中心
臺灣財經法學論叢, 2019-01, Vol.1 (1)
2019
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Effects of Lactiplantibacillus plantarum PS128 on alleviating canine aggression and separation anxiety
Applied animal behaviour science, 2022-02, Vol.247, p.105569, Article 105569
2022
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Effect of sarcopenia and frailty on outcomes among patients with brain metastases
Journal of neuro-oncology, 2024-03, Vol.167 (1), p.169-180
2024
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