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Photovoltaic effect-driven IR response of heterojunctions obtained by direct CVD synthesis of MoS2 nanolayers on crystalline silicon
Nanotechnology, 2020-10, Vol.31 (42), p.425603-425603
2020
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Photovoltaic effect-driven IR response of heterojunctions obtained by direct CVD synthesis of MoS 2 nanolayers on crystalline silicon
Nanotechnology, 2020-10, Vol.31 (42), p.425603
2020
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Long distance distortions in the graphene near the edge of planar metal contacts
Thin solid films, 2020-03, Vol.698, p.137850, Article 137850
2020
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Resonant thermal terahertz metasurface-based emitters on n-GaAs/GaAs
2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2022, p.1-2
2022
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Spectroscopic Ellipsometry of Porphyrin Adsorbed in Porous Silicon
Acta physica Polonica, A, 2005-02, Vol.107 (2), p.319-323
2005
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Electrochemical Formation and Microstructure of Porous Gallium Phosphide
Acta physica Polonica, A, 2011-02, Vol.119 (2), p.131-134
2011
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Polarization selective dual frequency metasurface-based resonant thermal terahertz emitters on n-GaAs/GaAs
2023 48th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2023, p.1-2
2023
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Formation of Porous n-A 3 B 5 Compounds
Acta physica Polonica, A, 2008-03, Vol.113 (3), p.1085-1090
2008
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Stark shift of the interband transitions in asymmetric step InGaAs/GaAs quantum wells
Journal of applied physics, 1993-05, Vol.73 (9), p.4691-4693
1993
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Determination of In composition in molecular beam epitaxy grown In sub(x)Ga sub(1-x)As/GaAs heterostructures
Journal of crystal growth, 1993-01, Vol.127 (1-4), p.616-618
1993
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Determination of In composition in molecular beam epitaxy grown InxGa1-xAs/GaAs heterostructures
Journal of crystal growth, 1993-02, Vol.127 (1-4), p.616-618
1993
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Electroreflectance studies of InGaAs/GaAs asymmetric step quantum wells
Semiconductor science and technology, 1993-10, Vol.8 (10), p.1875-1880
1993
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Growth of analog Al(x)Ga(1-x)As/GaAs parabolic quantum wells by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 1993-01, Vol.62 (1), p.61
1993
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Growth of analog Al x Ga1− x As/GaAs parabolic quantum wells by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 1993-01, Vol.62 (1), p.61-62
1993
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Growth of analog AIxGa1-xAs/GaAs parabolic quantum wells by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 1993, Vol.62 (1), p.61-62
1993
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InxGa1-xSb/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy
Superlattices and microstructures, 1992, Vol.12 (3), p.341-345
1992
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