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Impact of Precisely Positioned Dopants on the Performance of an Ultimate Silicon Nanowire Transistor: A Full Three-Dimensional NEGF Simulation Study
IEEE transactions on electron devices, 2013-03, Vol.60 (3), p.965-971
2013
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Comparison of Si < 100 > and < 110 > crystal orientation nanowire transistor reliability using Poisson–Schrödinger and classical simulations
Microelectronics and reliability, 2015-08, Vol.55 (9-10), p.1307-1312
2015
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Comparison of Si and crystal orientation nanowire transistor reliability using Poisson–Schrödinger and classical simulations
Microelectronics and reliability, 2015-08, Vol.55 (9-10), p.1307-1312
2015
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Variability-aware TCAD based design-technology co-optimization platform for 7nm node nanowire and beyond
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016, p.1-2
2016
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3D multi-subband ensemble Monte Carlo simulator of FinFETs and nanowire transistors
2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2014, p.21-24
2014
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The influence of polarisation and image charges on electron- impurity scattering in high degeneracy, nanometre scale silicon wrap-round gate MOSFETs
Journal of physics. Conference series, 2008-03, Vol.109 (1), p.012009, Article 012009
2008
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Monte Carlo analysis of In0.53Ga0.47as Implant-Free Quantum-Well device performance
2010 Silicon Nanoelectronics Workshop, 2010, p.1-2
2010
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Performance of vertically stacked horizontal Si nanowires transistors: A 3D Monte Carlo/2D Poisson Schrodinger simulation study
2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), 2016, p.1-2
2016
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Monte carlo simulation of the effect of interface roughness in Implant-Free Quantum-Well MOSFETs
2013 14th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2013, p.113-116
2013
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Impact of the statistical variability on 15nm III-V and Ge MOSFET based SRAM design
2013 14th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2013, p.133-136
2013
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7 - Silicon-on-insulator (SOI) fin-on-oxide field effect transistors (FinFETs)
Silicon-on-insulator (SOI) Technology, 2014, p.195,203e,203-202,206e,211
2014
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Silicon-on-Insulator (SOI) Fin-on-Oxide Field Effect Transistors (FinFETs)
Silicon-on-Insulator (SOI) Technology - Manufacture and Applications, 2014, p.1-1
2014
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Contributor contact details
Silicon-on-insulator (SOI) Technology, 2014, p.xi-xiii
2014
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A regioselectively 1,1′,3,3′-tetrazincated ferrocene complex displaying core and peripheral reactivity
Chemical science (Cambridge), 2020-07, Vol.11 (25), p.651-652
2020
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Synthesis, Structure, and DFT Analysis of the THF Solvate of 2‐Picolyllithium: A 2‐Picolyllithium Solvate with Significant Carbanionic Character
Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie (1950), 2020-07, Vol.646 (13), p.726-733
2020
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Impact of strain on the performance of Si nanowires transistors at the scaling limit: A 3D Monte Carlo/2D poisson schrodinger simulation study
2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2016, p.213-216
2016
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One-dimensional multi-subband Monte Carlo simulation of charge transport in Si nanowire transistors
2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2016, p.23-26
2016
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Radiobiological properties of high-energy cyclotron-produced neutrons used for radiotherapy
Radiology, 1975-10, Vol.117 (1), p.173
1975
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