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Low Thermal Budget Processing for Sequential 3-D IC Fabrication
IEEE transactions on electron devices, 2007-04, Vol.54 (4), p.707-714
2007
Open Access
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Metal organic chemical vapor deposition and investigation of ZnO thin films grown on sapphire
Thin solid films, 2008-06, Vol.516 (16), p.5571-5576
2008
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Design and operating characteristics of a metalorganic vapor phase epitaxy production scale, vertical, high speed, rotating disk reactor
Journal of crystal growth, 1994-12, Vol.145 (1), p.655-661
1994
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A parametric investigation of GaAs epitaxial growth uniformity in a high speed, rotating-disk MOCVD reactor
Journal of crystal growth, 1988, Vol.93 (1-4), p.220-227
1988
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New Technology and Developments in Compound Semiconductor Vertical RDR-MOCVD Growth Systems
MRS proceedings, 1994, Vol.340, Article 141
1994
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UV-Visible-IR Electroluminescence from Si and Ge Nanocrystals in a Wider Bandgap Matrix
MRS proceedings, 1994, Vol.358, Article 701
1994
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Mocvd Zinc Oxide Films for Wide Bandgap Applications
MRS proceedings, 2003, Vol.764, Article C3.10
2003
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Advanced Interactive Personal Computer-Based Process Control Systems for Oxide MOCVD Systems
MRS proceedings, 1995, Vol.415, Article 167
1995
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A high-speed, rotating-disc metalorganic chemical vapor deposition system for the growth of (Hg,Cd)Te and related alloys
Journal of crystal growth, 1994-02, Vol.135 (3), p.383-400
1994
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  • BibTeX
Characterization of Bragg reflector structures using scanning reflectance spectral mapping
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1994-12, Vol.28 (1), p.457-460
1994
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Work function of metallic surfaces bombarded with cesium ions
Surface science, 1988, Vol.198 (3), p.431-448
1988
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Carbon Nitride Formation by Plasma Assisted Ion Beam Deposition
MRS proceedings, 1995, Vol.396, Article 545
1995
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Mechanical, Thermal and Flow Dynamics Issues in Compound Semiconductor MOCVD Reactor Design
MRS proceedings, 1994, Vol.340, Article 135
1994
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Determination of critical current density and transition temperature of YBa sub 2 Cu sub 3 O sub 7 minus x thin films by measurement of ac susceptibility
Journal of applied physics, 1990-10, Vol.68:7
1990
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Cesium coverage on molybdenum due to cesium ion bombardment
Applied physics letters, 1986-04, Vol.48 (16), p.1048-1050
1986
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Work function reduction of a tungsten surface due to cesium ion bombardment
Applied physics letters, 1986-12, Vol.49 (22), p.1511-1513
1986
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Effects of hydrogen and of cesium adsorption on a beryllium surface: A theoretical and experimental study
Surface science, 1989-01, Vol.208 (1), p.189-204
1989
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Compact efficient modular cesium atomic beam oven
Review of scientific instruments, 1987-08, Vol.58 (8), p.1536-1537
1987
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Metalorganic chemical vapor deposition of superconducting YBa sub 2 Cu sub 3 O sub 7 minus x in a high-speed rotating disk reactor
Journal of applied physics, 1989-11, Vol.66:10
1989
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Ir, Visible, and UV Photoluminescence Dependence on the Composition of Quantum Nanocrystals
MRS proceedings, 1993, Vol.326, Article 591
1993
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Growth of MnS, Cd1-xMnxSe, and MnS1-xSex Films by Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Elemental Vapor Transport Epitaxy (EVTE) Techniques
MRS proceedings, 1993, Vol.326, Article 305
1993
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Growth of highly uniform, reproducible InGaAs films in a multiwafer rotating disk reactor by MOCVD
Journal of crystal growth, 1991, Vol.107 (1), p.445-451
1991
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MOVPE growth of II–VI compounds in a vertical reactor with high-speed horizontal rotating disk
Journal of crystal growth, 1991, Vol.107 (1), p.198-202
1991
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Work function of cesium-covered polycrystalline beryllium
Surface science letters, 1987-06, Vol.185 (1), p.L453-L458
1987
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Work function of cesium-covered polycrystalline beryllium
Surface science, 1987-06, Vol.185 (1), p.L453-L458
1987
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