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On The Technology of the Bragg Grating for the Laterally Coupled Single-Mode Distributed Feedback Laser Diodes
Nano- i mikrosistemnai͡a︡ tekhnika = Journal of "nano and microsystem technique.", 2022-02, Vol.24 (2), p.88-91
2022
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Electron Mobility Transistors On AlGaN/GaN Heterostructure with Recess in the Barrier Layer
Nano- i mikrosistemnai͡a︡ tekhnika = Journal of "nano and microsystem technique.", 2022-02, Vol.24 (2), p.103-108
2022
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On a two-layer [Si.sub.3][N.sub.4]/Si[O.sub.2] dielectric mask for low-resistance ohmic contacts to AlGan/GaN HEMTs
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-08, Vol.50 (8), p.1117
2016
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Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-10, Vol.50 (10), p.1377-1382
2016
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Investigation of the fabrication processes of AlGaN/AlN/GaN HEMTs with in situ [Si.sub.3][N.sub.4] passivation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-10, Vol.50 (10), p.1416
2016
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Prototyping of V-band Transmit-Receive Modules on the Basis of the Domestic Monolithic Integrated Circuits on Gallium Nitride
Nano- i mikrosistemnai͡a︡ tekhnika = Journal of "nano and microsystem technique.", 2019-12, Vol.21 (12), p.702-708
2019
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The Manufacturing Technology and Development of Monolithic Integrated Circuits Based on Gallium Nitride
Nano- i mikrosistemnai͡a︡ tekhnika = Journal of "nano and microsystem technique.", 2017-05, Vol.19 (5), p.273-293
2017
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Investigation of microlasers with broken rotational symmetry of the cavity and InGaAs/GaAs quantum well-dots in active region
2024 International Conference Laser Optics (ICLO), 2024, p.160-160
2024
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The Technology of Manufacturing for Complementary Transistors on Gallium Nitride
Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development, 2019 (4), p.6-10
2019
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The Technology of Manufacturing of Complementary Transistors on Gallium Nitride
Problems of advanced micro- and nanoelectronic systems development, 2018, p.69-74
2018
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