Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Sortiert nach
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Computationally efficient models for quantization effects in MOS electron and hole accumulation layers
IEEE transactions on electron devices, 1998-07, Vol.45 (7), p.1487-1493
1998
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
The impact of crystal cut error on the measured impurity profiles resulting from ion implantation
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2000-05, Vol.13 (2), p.243-248
2000
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Built-in longitudinal field effects in sub-100-nm graded Si sub(1-x )Ge sub(x) channel PMOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 2001-06, Vol.48 (6), p.1245-1249
2001
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Monte Carlo simulation of consecutive implants into SiO/sub 2/ capped Si
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2002, p.217-220
2002
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
An electronic stopping power model for Monte Carlo and molecular dynamics simulation of ion implantation into silicon
Proceedings of 11th International Conference on Ion Implantation Technology, 1996, p.543-546
1996
Volltextzugriff (PDF)
1 – 5 von 5
Suche als RSS-Feed
Suchergebnisse filtern
Filter anzeigen