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A 6-F/sup 2/ bit cell design based on one transistor and two uneven magnetic tunnel junctions structure and low power design for MRAM
IEEE transactions on electron devices, 2006-07, Vol.53 (7), p.1530-1538
2006
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Isolation on Si wafers by MeV proton bombardment for RF integrated circuits
IEEE transactions on electron devices, 2001-05, Vol.48 (5), p.928-934
2001
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Low-frequency noise properties of dynamic-threshold (DT) MOSFET's
IEEE electron device letters, 1999-10, Vol.20 (10), p.532-534
1999
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Wide operation margin of toggle mode switching for magnetic random access memory with preceding negative pulse writing scheme
Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (11), p.112501-112501-3
2006
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Injection-induced bandgap narrowing and its effects on the low-temperature operation of silicon bipolar transistors
IEEE transactions on electron devices, 1989-11, Vol.36 (11), p.2576-2586
1989
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Methodology for bipolar process diagnosis and its application to advanced self-aligned bipolar transistors
IEEE transactions on electron devices, 1987-08, Vol.34 (8), p.1736-1740
1987
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An advanced bipolar transistor with self-aligned ion-implanted base and W/poly emitter
IEEE transactions on electron devices, 1988, Vol.35 (8), p.1322-1327
1988
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A 6-F2 bit cell design based on one transistor and two uneven magnetic tunnel junctions structure and low power design for MRAM
IEEE transactions on electron devices, 2006, Vol.53 (7), p.1530-1538
2006
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Increasing the current driving capability of epitaxial Schottky-barrier diodes using high-energy implantation
IEEE transactions on electron devices, 1985-12, Vol.32 (12), p.2819-2823
1985
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Junction degradation in bipolar transistors and the reliability imposed constraints to scaling and design
IEEE transactions on electron devices, 1988-12, Vol.35 (12), p.2101-2107
1988
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Inherent and stress-induced leakage in heavily doped silicon junctions
IEEE transactions on electron devices, 1988-12, Vol.35 (12), p.2108-2118
1988
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On the very-high-current degradations on Si n-p-n transistors
IEEE transactions on electron devices, 1990-07, Vol.37 (7), p.1698-1706
1990
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On the punchthrough characteristics of advanced self-aligned bipolar transistors
IEEE transactions on electron devices, 1987-07, Vol.34 (7), p.1519-1524
1987
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Switch-on transient of shallow-profile bipolar transistors
IEEE transactions on electron devices, 1985-01, Vol.32 (11), p.2224-2226
1985
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An advanced high-performance trench-isolated self-aligned bipolar technology
IEEE transactions on electron devices, 1987-11, Vol.34 (11), p.2246-2254
1987
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Scaling the silicon bipolar transistor for sub-100-ps ECL circuit operation at liquid nitrogen temperature
IEEE transactions on electron devices, 1990-03, Vol.37 (3), p.680-691
1990
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The design and electrical characteristics of high-performance single-poly ion-implanted bipolar transistors
IEEE transactions on electron devices, 1989-09, Vol.36 (9), p.1703-1710
1989
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THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDIES OF THE TUNING AND MODULATION PROPERTIES OF TRANSFERRED-ELECTRON DEVICES
1974
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