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Silicon implantation in GaAs
Applied physics letters, 1979-01, Vol.34 (2), p.165-167
1979
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Sequential nature of damage annealing and activation in implanted GaAs
Applied physics letters, 1989-01, Vol.54 (5), p.448-450
1989
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Characterization of reacted ohmic contacts to GaAs
Solid-state electronics, 1986-09, Vol.29 (9), p.903-905
1986
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Interfacial strain in AlxGa1-xAs layers on GaAS
Journal of applied physics, 1985, Vol.57 (4), p.1377-1379
1985
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Stable solid-phase contact to n-GaAs
IEEE transactions on electron devices, 1989-06, Vol.36 (6), p.1223-1225
1989
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Study of solid-phase reactions of metals on GaAs with a TiN diffusion barrier
Solid-state electronics, 1987-06, Vol.30 (6), p.571-578
1987
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Pulsed electron beam induced recrystallization and damage in GaAs
Applied physics letters, 1979-12, Vol.35 (11), p.867-870
1979
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Steady-state thermally annealed GaAs with room-temperature-implanted Si
Applied physics letters, 1980-05, Vol.36 (9), p.749-751
1980
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Reliability of pulsed electron-beam-alloyed AuGe/Pt ohmic contacts on GaAs
Applied physics letters, 1981-10, Vol.39 (7), p.556-558
1981
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Alloying behaviour of Au-Ge/Pt ohmic contacts to GaAs by pulsed electron beam and furnace heating
Electronics letters, 1980-10, Vol.16 (22), p.849
1980
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Pulsed-laser annealing of implanted layers in GaAs
Applied physics letters, 1979-05, Vol.34 (9), p.597-599
1979
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Excess noise measurements in ion-implanted silicon resistors
Solid-state electronics, 1974-01, Vol.17 (6), p.599-605
1974
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Stable silicon solar cells with high temperature survivability
Solar cells, 1987-04, Vol.20 (3), p.177-186
1987
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Activation analysis of rapid thermally annealed Si and Mg implanted semi‐insulating GaAs
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 1989-09, Vol.7 (5), p.1090-1095
1989
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TA-A3 laser and electron-beam annealing of implanted semi-insulating GaAs
IEEE transactions on electron devices, 1979-11, Vol.26 (11), p.1833-1833
1979
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Effect of encapsulation on the reaction between palladium and GaAs thin films
Thin solid films, 1988-12, Vol.166 (1-2), p.63-68
1988
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Combined use of ion backscattering and X-ray rocking curves in the analyses of superlattices
Physical review. B, Condensed matter, 1985-02, Vol.31 (4), p.2343-2347
1985
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  • BibTeX
Analyses of implanted superlattices by ion backscattering and X-ray rocking curves
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 1985-01, Vol.10, p.588-591
1985
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  • BibTeX
Saturation of Si activation at high doping levels in GaAs
The Journal of physics and chemistry of solids, 1983, Vol.44 (6), p.507-514
1983
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  • BibTeX
Stable ohmic contact to GaAs with TiN diffusion barrier
Thin solid films, 1984-01, Vol.119 (1), p.5-9
1984
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1/ f noise as a nonstationary process: Experimental evidence and some analytical conditions
Journal of applied physics, 1976-01, Vol.47 (4), p.1697-1701
1976
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The annealing behavior of antimony implanted polycrystalline silicon
Applied physics letters, 1982-01, Vol.40 (3), p.228-230
1982
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Thermal equilibrium noise of space charge limited current in silicon for holes with field-dependent mobility
Solid-state electronics, 1975-01, Vol.18 (2), p.113-118
1975
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Laser pulse annealing of ion-implanted GaAs
Journal of applied physics, 1980-01, Vol.51 (1), p.295-298
1980
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Analysis of Zn-diffused Al0•88Ga0•12As/GaAs superlattice structure by X-ray rocking curves and backscattering spectrometry
Materials letters, 1984, Vol.2 (5), p.437-440
1984
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