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Fullerene thermal insulation for phase change memory

Applied physics letters, 2008-01, Vol.92 (1), p.013109-013109-3

2008

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A Time-of-Flight 3-D Image Sensor With Concentric-Photogates Demodulation Pixels

IEEE transactions on electron devices, 2014-03, Vol.61 (3), p.870-877

2014

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Organic-on-silicon complementary metal-oxide-semiconductor colour image sensors

Scientific reports, 2015-01, Vol.5 (1), p.7708-7708, Article 7708

2015

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Growth and surface alloying of Fe on Pt(9 9 7)

Surface science, 2006-08, Vol.600 (16), p.3266-3273

2006

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Rapid crystallization of GeTe–Bi2Te3 mixed layer

Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (10)

2008

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Effect of indium on phase-change characteristics and local chemical states of In-Ge-Sb-Te alloys

Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (2), p.021905-021905-3

2008

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Direct evidence of phase separation in Ge2Sb2Te5 in phase change memory devices

Applied physics letters, 2009-05, Vol.94 (19)

2009

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Electronic structure of ( Ge 2 Sb 2 Te 5 ) 1 − x ( In 3 SbTe 2 ) x investigated by x-ray photoelectron spectroscopy

Journal of applied physics, 2009-08, Vol.106 (4), p.043701-043701-6

2009

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Thermoelectric heating of Ge2Sb2Te5 in phase change memory devices

Applied physics letters, 2010-03, Vol.96 (12)

2010

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Low thermal conductivity in Ge2Sb2Te5–SiOx for phase change memory devices

Applied physics letters, 2009-06, Vol.94 (24)

2009

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Optical properties of (GeTe, Sb2Te3) pseudobinary thin films studied with spectroscopic ellipsometry

Applied physics letters, 2008-07, Vol.93 (2)

2008

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Thin film alloy mixtures for high speed phase change optical storage: A study on (Ge1Sb2Te4)1−x(Sn1Bi2Te4)x

Applied physics letters, 2002-05, Vol.80 (18), p.3313-3315

2002

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High Speed Phase Change Random Access Memory with (Ge 1 Sb 2 Te 4 ) 0.9 (Sn 1 Bi 2 Te 4 ) 0.1 Complete Solid Solution

Japanese Journal of Applied Physics, 2007-09, Vol.46 (9R), p.5719

2007

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Valence band structures of the phase change material Ge2Sb2Te5

Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (25)

2007

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Electron-beam lithography of Co ∕ Pd multilayer with hydrogen silsesquioxane and amorphous Si intermediate layer

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2006-11, Vol.24 (6), p.2616-2620

2006

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