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AlGaAs/InGaAs heterostructures with doped channels for discrete devices and monolithic amplifiers
IEEE transactions on electron devices, 1989-10, Vol.36 (10), p.2231-2235
1989
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AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum-well power MISFET at millimeter-wave frequencies
IEEE electron device letters, 1988-11, Vol.9 (11), p.610-612
1988
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Millimeter-wave GaAs power FET with a pulse-doped InGaAs channel
IEEE electron device letters, 1988-05, Vol.9 (5), p.203-204
1988
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GaAs/AlGaAs heterojunction MISFET's having 1-W/mm power density at 18.5 GHz
IEEE electron device letters, 1986-11, Vol.7 (11), p.638-639
1986
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35 GHz GaAs power MESFETs and monolithic amplifiers
IEEE transactions on microwave theory and techniques, 1989-09, Vol.37 (9), p.1327-1333
1989
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Boost performance of millimeter-wave quantum well devices
Microwaves & RF, 1989-06, Vol.28, p.75
1989
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