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Peculiarities and evolution of Raman spectra of multilayer Ge/Si(001) heterostructures containing arrays of low‐temperature MBE‐grown Ge quantum dots of different size and number density: Experimental studies and numerical simulations
Journal of Raman spectroscopy, 2022-05, Vol.53 (5), p.853-862
2022
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The formation of intermediate layers in covered Ge/Si heterostructures with low-temperature quantum dots: a study using high-resolution transmission electron microscopy and Raman spectroscopy
Semiconductor science and technology, 2020-04, Vol.35 (4), p.45012
2020
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Evidence for Kinetic Limitations as a Controlling Factor of Ge Pyramid Formation: a Study of Structural Features of Ge/Si(001) Wetting Layer Formed by Ge Deposition at Room Temperature Followed by Annealing at 600 °C
Nanoscale research letters, 2015-12, Vol.10 (1), p.994-994, Article 295
2015
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Metal silicide/poly-Si Schottky diodes for uncooled microbolometers
Nanoscale research letters, 2013-04, Vol.8 (1), p.177-177, Article 177
2013
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Ge/Si(001) heterostructures with dense arrays of Ge quantum dots: morphology, defects, photo-emf spectra and terahertz conductivity
Nanoscale research letters, 2012-07, Vol.7 (1), p.414-414, Article 414
2012
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Evolution of Ge wetting layers growing on smooth and rough Si(001) surfaces: Isolated {105} facets as a kinetic factor of stress relaxation
Applied surface science, 2023-01, Vol.608, p.155094, Article 155094
2023
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Effect of extended defects on phonon confinement in polycrystalline Si and Ge films
Materials science in semiconductor processing, 2024-10, Vol.181, p.108659, Article 108659
2024
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