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Passivation of GaSb by sulfur treatment

Journal of electronic materials, 1994, Vol.23 (1), p.7-12

1994

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Modifications du travail de sortie des surfaces clivées de GaAs, liées au refroidissement

Journal de physique, 1984, Vol.45 (7), p.1191-1195

1984

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Barrière de surface d'un semiconducteur en fonction de la température dans le cas de distributions complexes d'états. Calcul et exploitation

Journal de physique, 1984, Vol.45 (7), p.1197-1211

1984

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A study of oxygen interaction with GaSb cleaved surfaces by work function and photovoltage measurements

Thin solid films, 1987-07, Vol.151 (1), p.103-110

1987

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Synchrotron radiation photoemission study of the formation of the Ag/GaSb(110) interface

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1990-05, Vol.8 (3), p.1983-1987

1990

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The Kelvin probe method for work function topographies: technical problems and solutions

Vacuum, 1984-01, Vol.34 (7), p.693-698

1984

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Importance of defects and dopant nature in alkali metal/III–V semiconductor interface formation and promoted oxidation

Applied surface science, 1993, Vol.68 (3), p.417-425

1993

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Overlayer morphology and metallicity: Formation of In/GaSb(110) barriers at room and low temperature

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1990-05, Vol.8 (3), p.1988-1992

1990

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Sur l'utilisation des modifications de barrière de surface avec la température pour caractériser les états de surface

Thin solid films, 1982-05, Vol.91 (4), p.283-300

1982

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Synchrotron radiation study of Rb/p-GaSb(110) interface formation and band bending at low temperature

Applied surface science, 1993, Vol.68 (3), p.427-432

1993

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Propriétés électroniques des surfaces de GaSb clivées en ultra-vide

Thin solid films, 1981-04, Vol.78 (2), p.167-176

1981

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Sur la contribution des differents porteurs à la zone de charge d'espace d'un semiconducteur multivallée

Surface science, 1980-01, Vol.91 (1), p.283-300

1980

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Auger electron beam effects on electrical properties and surface composition of InP surfaces

Surface science, 1985-01, Vol.162 (1), p.186-194

1985

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Effects of the modification with temperature of the bulk properties on electron affinity and ionization energy variations of some zinc-blende-type semiconductors

Surface science, 1983-08, Vol.130 (2), p.L337-L343

1983

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A propos de l'interprétation des variations avec la température du travail de sortie des surfaces de GaSb

Surface science, 1979-08, Vol.87 (2), p.605-612

1979

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EFFECTS OF THE MODIFICATION WITH TEMPERATURE OF THE BULK PROPERTIES ON ELECTRON-AFFINITY AND IONIZATION-ENERGY VARIATIONS OF SOME ZINCBLENDE-TYPE SEMICONDUCTORS

Surface science, 1983, Vol.130 (2), p.L337-L343

1983

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Fabrication and characterization of the lamellar ternary compounds GaxIn1−xSe

Physica B + C, 1980-01, Vol.99 (1-4), p.291-298

1980

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Étude des propriétés électriques des surfaces réelles d'antimoniure de gallium

Surface science, 1977-05, Vol.64 (2), p.567-587

1977

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Chemical and electronic properties of the Ag/GaSb(110) interface formed at room and low temperature

Physical review. B, Condensed matter, 1989-09, Vol.40 (8), p.5579-5587

1989

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Electron diffusion lengths in p -type InP involved in indium tin oxide/ p -InP solar cells

Journal of applied physics, 1982-10, Vol.53 (10), p.7014-7019

1982

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Epitaxial Growth of Cubic ZnS x Se1 − x by Vapor Phase Transport

Journal of the Electrochemical Society, 1980-08, Vol.127 (8), p.1800-1806

1980

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A calculation of defect gap states on the clean (110) surfaces of some III-V semiconductors

Surface science, 1980-01, Vol.99 (1), p.132-137

1980

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The composition and temperature dependences of the fundamental band gap in ZnSxSe1−x alloys

Surface science, 1979-07, Vol.86, p.378-383

1979

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Étude des propriétés électriques des surfaces réelles d'antimoniure de gallium

Surface science, 1977, Vol.64 (2), p.567-587

1977

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Sur la contribution des differents porteurs à la zone de charge d'espace d'un semiconducteur multivallée

Surface science letters, 1980, Vol.91 (1), p.A8-A9

1980

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