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Effect of Additional Implantation with Oxygen Ions on the Dislocation-related Luminescence in Silicon-containing Oxygen Precipitates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-12, Vol.55 (12), p.891-894
2021
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Silicon Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence Fabricated with Participation of Oxygen Precipitates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-07, Vol.57 (7), p.343-346
2023
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The Excitation Efficiency for Dislocation-Related Luminescence Centers in Silicon with Oxygen Precipitates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-05, Vol.57 (5), p.268-271
2023
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Temperature Dependence of Dislocation-Related Electroluminescence in Silicon Light-Emitting Diodes Containing Oxygen Precipitates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-03, Vol.57 (3), p.172-176
2023
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Silicon Light-Emitting Diodes with Luminescence from (113) Defects
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-06, Vol.54 (6), p.687-690
2020
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Extended Defects in O+-Implanted Si Layers and Their Luminescence
Crystallography reports, 2021-07, Vol.66 (4), p.625-635
2021
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About anomalous g factor value of Mn-related defects in GaAs:Mn
Applied magnetic resonance, 2016-07, Vol.47 (7), p.671-684
2016
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Photoluminescence associated with {113} defects in oxygen‐implanted silicon
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2017-07, Vol.214 (7), p.n/a
2017
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Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-09, Vol.51 (9), p.1133-1135
2017
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Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions
Physics of the solid state, 2016-12, Vol.58 (12), p.2499-2502
2016
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Excitation cross-section and lifetime of the excited state of erbium ions in avalanching light-emitting Si : Er : O diodes
Journal of luminescence, 1998-12, Vol.80 (1), p.315-319
1998
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Temperature dependences of the photoluminescence intensities of centers in silicon implanted with erbium and oxygen ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-12, Vol.49 (12), p.1651-1654
2015
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Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-02, Vol.50 (2), p.240-243
2016
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Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated p-Si
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-02, Vol.50 (2), p.252-256
2016
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Investigation of photochromic cluster systems based on molybdenum oxides by ESR spectroscopy
Physics of the solid state, 2001-04, Vol.43 (4), p.788-791
2001
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  • BibTeX
Influence of Fabrication Conditions on Properties of Si:Er Light-Emitting Structures
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1527-1532
1997
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Luminescent and Structural Properties of Electron-Irradiated Silicon Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence
Materials today : proceedings, 2018, Vol.5 (6), p.14772-14777
2018
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Partly filled impurity band formation in compensated InP : Mn
Physica. B, Condensed matter, 2001-12, Vol.308, p.881-883
2001
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Avalanche breakdown-related electroluminescence in single crystal Si:Er:O
Applied physics letters, 1997-10, Vol.71 (14), p.1930-1932
1997
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ESR of interacting manganese centers in gallium arsenide
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-08, Vol.37 (8), p.872-875
2003
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Fabrication of Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence by Annealing of Electron-Irradiated Silicon
Solid state phenomena, 2014, Vol.205-206, p.305-310
2014
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Structural and luminescent properties of electron-irradiated silicon
AIP Conference Proceedings, 2014, Vol.1583 (1), p.93
2014
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The relaxation of the neutral state of manganese in gallium arsenide
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-08, Vol.37 (8), p.918-922
2003
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Electron spin resonance in manganese-doped BSCCO (2212) crystals
Technical physics, 1997-10, Vol.42 (10), p.1234-1235
1997
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Partly filled impurity band formation in compensated InP:Mn
Physica. B, Condensed matter, 2001, Vol.308-10, p.881-883
2001
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