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Structural and emission improvement of cyan-emitting InGaN quantum wells by introducing a large substrate misorientation angle
Optical materials express, 2022-01, Vol.12 (1), p.119
2022
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Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2020-05, Vol.20 (5), p.2979-2986
2020
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Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2014-08, Vol.14 (8), p.6112-6115
2014
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MOVPE growth of N-polar GaN/AlxGa1−xN/GaN heterostructure on small off-cut substrate for flat interface
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), 2016, p.1-2
2016
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