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Blanket and patterned growth of CdTe on (211)Si substrates by metal-organic vapor phase epitaxy
Physica status solidi. C, 2012-08, Vol.9 (8-9), p.1712-1715
2012
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Effects of high in-situ source/drain boron doping in p-FinFETs on physical and device performance characteristics
Materials science in semiconductor processing, 2018-08, Vol.82, p.9-13
2018
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A Novel Approach to Control Source/Drain Cavity Profile for Device Performance Improvement
IEEE transactions on electron devices, 2018-09, Vol.65 (9), p.3640-3645
2018
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Abnormal Silicon-Germanium (SiGe) Epitaxial Growth in FinFETs
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2020-05, Vol.33 (2), p.291-294
2020
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Wafer Level Variability Improvement by Spatial Source/Drain Activation and Ion Implantation Super Scan for FinFET Technology
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2018-08, Vol.31 (3), p.371-375
2018
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High density epitaxial unwanted growth and its effect on planarization in FINFET process
2018 29th Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC), 2018, p.159-162
2018
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Recent Results on Growth of (211)B CdTe on (211)Si with Intermediate Ge and ZnTe Buffer Layers by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy
Journal of electronic materials, 2012-10, Vol.41 (10), p.2824-2827
2012
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Trade-Off between Gate Oxide Integrity and Transistor Performance for FinFET Technology
ECS journal of solid state science and technology, 2017, Vol.6 (8), p.N137-N141
2017
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Metalorganic vapor phase epitaxial growth of (211)B CdTe on nanopatterned (211)Si
Physica status solidi. C, 2012-08, Vol.9 (8-9), p.1716-1719
2012
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Effect of As Passivation on Vapor-Phase Epitaxial Growth of Ge on (211)Si as a Buffer Layer for CdTe Epitaxy
Journal of electronic materials, 2011-08, Vol.40 (8), p.1637-1641
2011
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Quantized Double-Layer Charging of Rhodium2057(Tridecylamine)321 Clusters Using Differential Pulse and Cyclic Voltammetry
Advanced materials (Weinheim), 2007-01, Vol.19 (2), p.272-275
2007
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Growth and Characterization of (211)B Cadmium Telluride Buffer Layer Grown by Metal-organic Vapor Phase Epitaxy on Nanopatterned Silicon for Mercury Cadmium Telluride Based Infrared Detector Applications
2012
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Nanometer sized tridecylamine capped Rhodium dispersed on high surface area support: catalytic investigations
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2007-08, Vol.7 (8), p.2870-2876
2007
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