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The Influence of Zn-Diffusion Depth on the Static and Dynamic Behavior of Zn-Diffusion High-Speed Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers at an 850 nm Wavelength
IEEE journal of quantum electronics, 2009-07, Vol.45 (7), p.800-806
2009
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Observation of femtosecond carrier thermalization time in indium nitride
Journal of applied physics, 2008-06, Vol.103 (12), p.123513-123513-4
2008
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GaAs-Based Transverse Junction Superluminescent Diodes With Strain-Compensated InGaAs–GaAsP Multiple-Quantum-Wells at 1.1-$\mu$m Wavelength
IEEE photonics technology letters, 2010-06, Vol.22 (12), p.917-919
2010
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The Structure of GaN-Based Transverse Junction Blue LED Array for Uniform Distribution of Injected Current/Carriers
IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2009-07, Vol.15 (4), p.1292-1297
2009
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Bipolar cascade superluminescent diodes at the 1.04μm wavelength regime
IEEE photonics technology letters, 2009-03, Vol.21 (5), p.328-330
2009
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Bipolar cascade superluminescent diodes at the 1.04um wavelength regime
IEEE photonics technology letters, 2009-03, Vol.21 (5), p.328
2009
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Femtosecond ultrasonic spectroscopy using a piezoelectric nanolayer: Hypersound attenuation in vitreous silica films
Applied physics letters, 2011-08, Vol.99 (5), p.051913-051913-3
2011
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Two-photon fluorescence microscope with a hollow-core photonic crystal fiber
Optics express, 2004-12, Vol.12 (25), p.6122-6128
2004
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Transverse-junction superluminescent diodes at the 1.1μm wavelength regime
Optics express, 2008-10, Vol.16 (21), p.16860
2008
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Electrically manipulating the optical sensitivity function in quantum wells for nanoacoustic wave detection
Applied physics letters, 2009-10, Vol.95 (14), p.143108-143108-3
2009
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GaAs-based transverse junction superluminescent diode at 1.1um wavelength region
2009 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2009 Conference on Quantum electronics and Laser Science Conference, 2009, p.1-2
2009
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Bias-controlled coherent acoustic phonon generation in InGaN/GaN multiple-quantum-wells light emitting diodes
2009 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2009 Conference on Quantum electronics and Laser Science Conference, 2009, p.1-2
2009
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Phosphor-Free GaN-Based Cascade Transverse Junction Light Emitting Diode Arrays for the High-Power Generation of White-Light
LEOS 2007 - IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting Conference Proceedings, 2007, p.584-585
2007
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GaAs-Based Transverse Junction Superluminescent Diodes With Strain-Compensated InGaAs-GaAsP Multiple-Quantum-Wells at 1.1-[Formula Omitted]m Wavelength
IEEE photonics technology letters, 2010-06, Vol.22 (12), p.917
2010
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GaAs-Based Transverse Junction Superluminescent Diodes With Strain-Compensated InGaAs-GaAsP Multiple-Quantum-Wells at 1.1- \mum Wavelength
IEEE photonics technology letters, 2010-06, Vol.22 (12), p.917-919
2010
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Bipolar cascade superluminescent diodes at the 1.04km wavelength regime
IEEE photonics technology letters, 2009-03, Vol.21 (5), p.328-330
2009
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Flatten and invariant broadband spectra of transverse junction light- emitting diodes under a large range of bias current at 1.06 μm wavelengths
LEOS 2007 - IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting Conference Proceedings, 2007, p.586-587
2007
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GaAs-based bipolar cascade light-emitting-diodes and superluminescent-diodes at the 1.04-μm wavelength regime
LEOS 2008 - 21st Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 2008, p.589-590
2008
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Transverse-junction superluminescent diodes at the 1.1 microm wavelength regime
Optics express, 2008-10, Vol.16 (21), p.16860-16866
2008
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