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Dependence of Strain Distribution on In Content in InGaN/GaN Quantum Wires and Spherical Quantum Dots
Journal of electronic materials, 2018-02, Vol.47 (2), p.1239-1243
2018
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Hydrostatic Pressure Dependent Optoelectronic Properties of InGaAsN/GaAs Spherical Quantum Dots for Laser Diode Applications
physica status solidi (b), 2019-03, Vol.256 (3), p.n/a
2019
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Temperature-dependent ultrafast hot carrier dynamics in the dilute bismide alloy GaSb1− x Bi x ( x  ≾ 0.4%)
Journal of applied physics, 2024-01, Vol.135 (3)
2024
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Open Access
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Temperature-dependent ultrafast hot carrier dynamics in the dilute bismide alloy GaSb1−xBix (x ≾ 0.4%)
Journal of applied physics, 2024-01, Vol.135 (3)
2024
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Temperature-dependent electron Hall mobility in LPE-grown InPBi/InP epilayers
Journal of materials science. Materials in electronics, 2023-02, Vol.34 (5), Article 450
2023
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Control of the composition and the structural properties of GaAsSb layers, grown by liquid phase epitaxy, by Bi addition to the growth melt
Journal of crystal growth, 2020-09, Vol.545, p.125739, Article 125739
2020
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Growth of dilute quaternary alloy InPNBi and its′ characterization
Journal of crystal growth, 2020-04, Vol.535, p.125532, Article 125532
2020
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Influence of Pb vs Ga solvents during liquid phase epitaxy on the optical and electrical properties of GaSbBi layers
Journal of applied physics, 2019-10, Vol.126 (15)
2019
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Photoluminescence investigation of the properties of GaAsSb in the dilute Sb regime
Journal of materials science. Materials in electronics, 2020-04, Vol.31 (8), p.6255-6262
2020
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Negative thermal quenching in optically pumped GaAsBi–GaAs heterojunction p–i–n diode
Applied physics. A, Materials science & processing, 2023-08, Vol.129 (8), Article 603
2023
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Dependence of heavy hole exciton binding energy and the strain distribution in GaAs 1− x Bi x /GaAs finite spherical quantum dots on Bi content in the material
Superlattices and microstructures, 2015-10, Vol.86, p.221-227
2015
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Dependence of heavy hole exciton binding energy and the strain distribution in GaAs1−xBix/GaAs finite spherical quantum dots on Bi content in the material
Superlattices and microstructures, 2015-10, Vol.86, p.221-227
2015
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