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Properties of Semipolar GaN Grown on a Si(100) Substrate
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-07, Vol.53 (7), p.989-992
2019
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Radiation-stimulated photoluminescence in electron irradiated 4H-SiC
Journal of physics. D, Applied physics, 2015-12, Vol.48 (48), p.485106-485110
2015
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Anisotropic Stresses in GaN(11‒20) Layers on an r-Al2O3 Substrate during Hydride Vapor Phase Epitaxy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022-03, Vol.56 (3), p.164-168
2022
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3C-SiC growth by sublimation in vacuum technology optimization
Journal of physics. Conference series, 2020-12, Vol.1697 (1), p.12070
2020
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ZnO/GaN heterostructure for LED applications
Journal of modern optics, 2009-03, Vol.56 (5), p.653-660
2009
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A Study of the Influence Exerted by Structural Defects on Photoluminescence Spectra in n-3C-SiC
Technical physics letters, 2019-06, Vol.45 (6), p.557-559
2019
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Effects of irradiation with 8-MeV protons on n-3C-SiC heteroepitaxial layers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-08, Vol.51 (8), p.1044-1046
2017
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Acquisition and Research of the p-3C-SiC Epitaxial Layers Based on the 6H-SiC Semi-Insulating Substrates
American journal of applied sciences, 2015, Vol.12 (3), p.237-241
2015
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Anisotropic Stresses in GaN Layers on an r-Al.sub.2O.sub.3 Substrate during Hydride Vapor Phase Epitaxy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022-03, Vol.56 (3), p.164
2022
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Investigation of the Influence of Structural Defects on the PL Spectra in n-3C-SiC
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.278-283
2020
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Effect of irradiation with MeV protons and electrons on the conductivity compensation and photoluminescence of moderately doped p-4H-SiC (CVD)
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-09, Vol.49 (9), p.1163-1165, Article 1163
2015
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Conductivity Compensation in CVD-Grown n-4H-SiC under Irradiation with 0.9 MeV Electrons
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.293-296
2015
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  • BibTeX
Effect of 3C-SiC irradiation with 8 MeV protons
2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), 2017-05, Vol.897, p.1-1
2017
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Growth and Investigation of n-AlGaN/p-6H-SiC/n-6H-SiC Heterostructures
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.1537-1541
2006
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Conductivity compensation in n-4H-SiC (CVD) under irradiation with 0.9-MeV electrons
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-08, Vol.48 (8), p.1006-1009
2014
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  • BibTeX
On the relationship between radiation-stimulated photoluminescence and nitrogen atoms in p-4H-SiC
Technical physics letters, 2015-12, Vol.41 (12), p.1143-1145
2015
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Polar Faces of 6H-SiC Substrates, TEM Investigations
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.267-270
2013
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  • BibTeX
On Application of Sublimation Epitaxy to Growth of Bulk 3C-SiC Crystals
Materials science forum, 2011, Vol.679-680, p.12-15
2011
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Electrical Properties of n-GaN∕p-SiC Heterojunctions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005, Vol.39 (12), p.1403
2005
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ZnO/GaN heterostructure for LED applications
Journal of modern optics, 2009, Vol.56 (5), p.653-660
2009
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Study of the 3C-SiC layers grown on the 15R-SiC substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-06, Vol.43 (6), p.756-759
2009
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Use of sublimation epitaxy for obtaining volume 3C-SiC crystals
Technical physics letters, 2010-06, Vol.36 (6), p.574-576
2010
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Open Access
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The growth of hexagonal and cubic GaN on a nano-patterned Si(100) substrate
Journal of physics. Conference series, 2020-12, Vol.1697 (1), p.12099
2020
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Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE
Physica status solidi. C, 2014-02, Vol.11 (3-4), p.502-504
2014
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