Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Sortiert nach
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Optimization of Bipolar SiC-Diodes by Analysis of Avalanche Breakdown Performance
Materials science forum, 2010-04, Vol.645-648, p.909-912
2010
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
SiC MPS Devices: One Step Closer to the Ideal Diode
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.609-612
2018
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Application-Oriented Unipolar Switching SiC Devices
Materials science forum, 2002-04, Vol.389-393, p.1185-1190
2002
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Optimization of Vertical Silicon Carbide Field Effect Transistors towards a Cost Attractive SiC Power Switch
Materials science forum, 2004-06, Vol.457-460, p.1201-1204
2004
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
High Voltage SiC Vertical JFET for High Power RF Applications
Materials science forum, 2012, Vol.717-720, p.1037-1040
2012
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Characterization of Packaged 6.5 kV SiC PiN-Diodes up to 300 °C
Materials science forum, 2012-05, Vol.717-720, p.957-960
2012
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Significantly improved performance of MOSFETs on silicon carbide using the 15R-SiC polytype
IEEE electron device letters, 1999-05, Vol.20 (5), p.241-244
1999
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Reliability and Degradation of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors on 4H- and 6H-Silicon Carbide
Materials science forum, 2000-05, Vol.338-342, p.1089-1092
2000
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A Molded Package Optimized for High Voltage SiC-Devices
Materials science forum, 2011, Vol.679-680, p.762-765
2011
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Enhanced channel mobility of 4H–SiC metal–oxide–semiconductor transistors fabricated with standard polycrystalline silicon technology and gate-oxide nitridation
Applied physics letters, 2002-06, Vol.80 (22), p.4253-4255
2002
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
4H-SiC Power MOSFET Blocking 1200V with a Gate Technology Compatible with Industrial Applications
Materials science forum, 2003-09, Vol.433-436, p.769-772
2003
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Detailed investigation of n-channel enhancement 6H-SiC MOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 1999-03, Vol.46 (3), p.533-541
1999
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
SiC Power MOSFETs – Status, Trends and Challenges
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.1255-1260
2006
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Electro-Thermal SPICE Model for High-Voltage SiC VJFETs
Materials science forum, 2009-01, Vol.615-617, p.731-734
2009
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Properties and Suitability of 4H-SiC Epitaxial Layers Grown at Different CVD Systems for High Voltage Applications
Materials science forum, 2004-06, Vol.457-460, p.181-184
2004
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
An 1800 V triple implanted vertical 6H-SiC MOSFET
IEEE transactions on electron devices, 1999-03, Vol.46 (3), p.542-545
1999
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Comparison of 4H-SiC pn, Pinch and Schottky Diodes for the 3 kV Range
Materials science forum, 2002-04, Vol.389-393, p.1125-1128
2002
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
High-Voltage Modular Switch Based on SiC VJFETs - First Results for a Fast 4.5kV/1.2Ω Configuration
Materials science forum, 2003-09, Vol.433-436, p.793-796
2003
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
BIFET – a Novel Bipolar SiC Switch for High Voltage Power Electronics
Materials science forum, 2004-01, Vol.457-460, p.1245-1248
2004
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Large Area, Avalanche-Stable 4H-SiC PiN Diodes with VBR > 4.5 kV
Materials Science Forum, 2005-05, Vol.483-485, p.977-980
2005
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Growth of SiC Epitaxial Layers in a Vertical Cold Wall Reactor Suited for High Voltage Applications
Materials science forum, 1998-01, Vol.264-268, p.89-96
1998
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Influence of the Buried p-Layer on the Blocking behavior of Vertical JFETs in 4H-SiC
Materials science forum, 2001-01, Vol.353-356, p.695-698
2001
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Surface Properties and Electrical Characteristics of Rapid Thermal Annealed 4H-SiC
Materials science forum, 2003-09, Vol.433-436, p.609-612
2003
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
To Be ''Snappy'' or Not - a Comparison of the Transient Behaviours of Bipolar SiC-Diodes
Materials science forum, 2003-09, Vol.433-436, p.895-900
2003
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Rugged Power MOSFETs in 6H-SiC with Blocking Capability up to 1800V
Materials science forum, 2000-05, Vol.338-342, p.1295-1298
2000
Volltextzugriff (PDF)
1 – 25 von 27
Suche als RSS-Feed
Suchergebnisse filtern
Filter anzeigen