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Hot-Carrier-Induced Reliability for Lateral DMOS Transistors With Split-STI Structures
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2021, Vol.9, p.1188-1193
2021
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Hot-Carrier-Induced Reliability Concerns for Lateral DMOS Transistors with Split-STI Structures
2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2021, p.1-3
2021
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Preparation of a nonwetting and conductive interface by gallium liquid metal micro-droplet coating
Colloids and surfaces. A, Physicochemical and engineering aspects, 2024-03, Vol.685, p.133338, Article 133338
2024
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Bi-allelic mutations in MOS cause female infertility characterized by preimplantation embryonic arrest
Human reproduction (Oxford), 2022-03, Vol.37 (3), p.612-620
2022
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