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Electric-field dependence of electron drift velocity in 4H–SiC
Solid-state electronics, 2016-09, Vol.123, p.15-18
2016
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Effect of impurity impact ionization on the dynamic characteristics of 4H-SiC [p.sup.+]-[n.sup.-]-[n.sup.+] diodes at low temperatures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-07, p.976
2015
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Current-voltage characteristics of high-voltage 4H-SiC [p.sup.+]-[n.sub.0]-[n.sup.+] diodes in the avalanche breakdown mode
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-03, Vol.51 (3), p.374
2017
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Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4H-SiC
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-07, Vol.50 (7), p.883-887
2016
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Semi-insulating 4H-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into n-type epitaxial films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-07, Vol.50 (7), p.920-923
2016
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Dynamic characteristics of 4H-SiC drift step recovery diodes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-11, Vol.49 (11), p.1511-1515
2015
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Low-temperature current-voltage characteristics of 4H-SiC [p.sup.+]-p-[n.sup.+] diodes: effect of impurity breakdown in the p-type base
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-04, Vol.46 (4), p.532
2012
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Resistance of 4H-SiC Schottky barriers at high forward-current densities
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-07, Vol.49 (7), p.930-934
2015
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Effect of rapid thermal annealing on the current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky diodes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013, Vol.47 (1), p.81-84
2013
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I-V characteristics of high-voltage 4H-SiC diodes with a 1.1-eV Schottky barrier
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-10, Vol.45 (10), p.1374-1377
2011
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Bistable low temperature (77 K) impurity breakdown in p-type 4H-SiC
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-07, Vol.44 (7), p.872-874
2010
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High-voltage (3.3 kV) 4H-SiC JBS diodes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-05, Vol.45 (5), p.668-672
2011
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A DLTS study of 4H-SiC-based p-n junctions fabricated by boron implantation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-10, Vol.45 (10), p.1306-1310
2011
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Leakage currents in 4H-SiC JBS diodes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-03, Vol.46 (3), p.397-400
2012
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Excess leakage currents in high-voltage 4H-SiC Schottky diodes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-05, Vol.44 (5), p.653-656
2010
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Ion-beam mixing at Ni/n-6H–SiC interface under irradiation by H +-ions
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2004-02, Vol.215 (3), p.385-388
2004
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SiC-based phototransistor with a tunnel MOS emitter
IEEE transactions on electron devices, 1999-03, Vol.46 (3), p.577-579
1999
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