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Properties of AlxGa1−xAs grown from a mixed Ga–Bi melt
Scientific reports, 2024-01, Vol.14 (1), p.1334-1334, Article 1334
2024
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Optimization of photoelectric parameters of InGaAs metamorphic laser (λ=1064 nm) power converters with over 50% efficiency
Solar energy materials and solar cells, 2020-11, Vol.217, p.110710, Article 110710
2020
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Increasing the quantum efficiency of InAs/GaAs QD arrays for solar cells grown by MOVPE without using strain-balance technology
Progress in photovoltaics, 2016-09, Vol.24 (9), p.1261-1271
2016
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Estimation of interaction parameters in the Al-Ga-As-Sn-Bi system
Heliyon, 2023-07, Vol.9 (7), p.e18063-e18063, Article e18063
2023
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InGaAs metamorphic laser power converters with distributed Bragg reflector for wavelength range λ=1 – 1.1 µm
AIP Conference Proceedings, 2020, Vol.2298 (1)
2020
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Thermal and resistive losses in InGaAs metamorphic laser (λ = 1064 nm) power converters with over 50% efficiency
AIP Conference Proceedings, 2019, Vol.2149 (1)
2019
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Current flow mechanism in GaAs solar cells with GaInAs quantum dots
AIP Conference Proceedings, 2016, Vol.1748 (1)
2016
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Current invariant as fundamental relation between saturation currents and band gaps for semiconductor solar cells
Solar energy materials and solar cells, 2024-01, Vol.264, p.112619, Article 112619
2024
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Properties of Al x Ga 1-x As grown from a mixed Ga-Bi melt
Scientific reports, 2024-01, Vol.14 (1), p.1334
2024
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Using electroluminescence of subcells for obtaining fundamental resistive-less dark IV characteristic of multi-junction solar cells
Solar energy materials and solar cells, 2022-09, Vol.245, p.111863, Article 111863
2022
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