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Open Access
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Low temperature grown GaNAsSb: A promising material for photoconductive switch application
Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (11), p.111113
2013
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High-Performance GaNAsSb/GaAs 1.55-μm Waveguide Photodetector
IEEE transactions on electron devices, 2011-03, Vol.58 (3), p.758-763
2011
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High-Performance GaNAsSb/GaAs 1.55- \mu\hbox Waveguide Photodetector
IEEE transactions on electron devices, 2011-03, Vol.58 (3), p.758-763
2011
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Design Considerations for 1.3 $\mu$m GaNAsSb–GaAs High Speed and High Quantum Efficiency Waveguide Photodetectors
Journal of lightwave technology, 2009-07, Vol.27 (13), p.2518-2524
2009
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High thermally induced index variations with short response time in InP/GaInAsP/ InP waveguide Schottky diodes
Electronics letters, 2009, Vol.45 (15), p.802-803
2009
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Design Considerations for 1.3 \mum GaNAsSb-GaAs High Speed and High Quantum Efficiency Waveguide Photodetectors
Journal of lightwave technology, 2009-07, Vol.27 (13), p.2518-2524
2009
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High-performance GaNAsSb/GaAs 1.55-µm waveguide photodetector
IEEE transactions on electron devices, 2011, Vol.58, p.758-763
2011
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GaNAsSb material for ultrafast microwave photoconductive switching application
Applied physics letters, 2008-08, Vol.93 (6), p.063509-063509-3
2008
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High-Performance GaNAsSb/GaAs 1.55-[Formula Omitted] Waveguide Photodetector
IEEE transactions on electron devices, 2011-03, Vol.58 (3), p.758
2011
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High-Performance GaNAsSb/GaAs 1.55- mu hbox m Waveguide Photodetector
IEEE transactions on electron devices, 2011-03, Vol.58 (3), p.758-763
2011
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High thermally induced index variations with short response time in InP/GaInAsP/ InP waveguide Schottky diodes
Electronics letters, 2009-07, Vol.45 (15), p.1-1
2009
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GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector with response up to 1.6   μ m grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2008-08, Vol.93 (8), p.081102-081102-3
2008
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High-Speed 1.3-[Formula Omitted] p-i-n GaNAsSb/GaAs Waveguide Photodetector
IEEE electron device letters, 2010-07, Vol.31 (7), p.704
2010
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High-Speed 1.3- \mu\hbox p-i-n GaNAsSb/GaAs Waveguide Photodetector
IEEE electron device letters, 2010-07, Vol.31 (7), p.704-706
2010
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High-Speed 1.3- mu hbox m p-i-n GaNAsSb/GaAs Waveguide Photodetector
IEEE electron device letters, 2010-07, Vol.31 (7), p.704-706
2010
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DC Performance of High-Quantum-Efficiency 1.3- \mu \hbox GaNAsSb/GaAs Waveguide Photodetector
IEEE electron device letters, 2010-05, Vol.31 (5), p.449-451
2010
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DC Performance of High-Quantum-Efficiency 1.3-[Formula Omitted] GaNAsSb/GaAs Waveguide Photodetector
IEEE electron device letters, 2010-05, Vol.31 (5), p.449
2010
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High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector
IEEE electron device letters, 2010, Vol.31 (7), p.704-706
2010
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DC performance of high-quantum-efficiency 1.3µm GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector
IEEE electron device letters, 2010, Vol.31 (5), p.449-451
2010
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1.55 μ m  GaAs∕GaNAsSb∕GaAs optical waveguides grown by radio frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (11)
2008
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GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector with response up to 1.6 µm grown by molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2008, Vol.93, p.081102-1-3
2008
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Design considerations for 1.3 µm GaNAsSb-GaAs high speed and high quantum efficiency waveguide photodetectors
Journal of lightwave technology, 2009, Vol.27 (13), p.2518-2524
2009
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Design Considerations for 1.3 mu m GaNAsSbaGaAs High Speed and High Quantum Efficiency Waveguide Photodetectors
Journal of lightwave technology, 2009-01, Vol.27 (13)
2009
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1.55 μ m Ga As ∕ Ga N As Sb ∕ Ga As optical waveguides grown by radio frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (11), p.113513-113513-3
2008
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1.55 {mu}m GaAs/GaNAsSb/GaAs optical waveguides grown by radio frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (11)
2008
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