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Experimental Characterization of the Thermal Time Constants of GaN HEMTs Via Micro-Raman Thermometry
2017
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Atomic layer deposition of Sc2O3 for passivating AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices
2012
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IEEE transactions on nuclear science, 2013-12, Vol.60 (6), p.4074-4079
2013
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IEEE electron device letters, 2009-09, Vol.30 (9), p.904-906
2009
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IEEE electron device letters, 2011-12, Vol.32 (12), p.1680-1682
2011
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IEEE electron device letters, 2010-09, Vol.31 (9), p.990-992
2010
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IEEE transactions on nuclear science, 2013-12, Vol.60 (6), p.4439-4445
2013
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Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (6), p.1361-1364
2009
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2011 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2011, p.287-290
2011
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2015
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IEEE electron device letters, 2011, Vol.32 (12), p.1680-1682
2011
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IEEE electron device letters, 2009, Vol.30 (12), p.1254-1256
2009
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2009 Device Research Conference, 2009, p.59-60
2009
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2012 IEEE 55th International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), 2012, p.53-56
2012
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Fourteenth Intersociety Conference on Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (ITherm), 2014, p.947-958
2014
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2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2015, p.16.6.1-16.6.4
2015
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