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Building an optics and photonics research ecosystem in South Korea: Collaborative innovation between academia and industry
Light, science & applications, 2023-12, Vol.12 (1), p.289-289, Article 289
2023
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A 21 nm High Performance 64 Gb MLC NAND Flash Memory With 400 MB/s Asynchronous Toggle DDR Interface
IEEE journal of solid-state circuits, 2012-04, Vol.47 (4), p.981-989
2012
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A Study of High-Voltage p-Type MOSFET Degradation Under AC Stress
IEEE transactions on electron devices, 2015-09, Vol.62 (9), p.2940-2944
2015
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Abnormal degradation of high-voltage p-type MOSFET with n+ polycrystalline silicon gate during AC stress
Japanese Journal of Applied Physics, 2016-11, Vol.55 (11), p.118005
2016
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Hot Hole-Induced Device Degradation by Drain Junction Reverse Current
ECS transactions, 2014-03, Vol.58 (16), p.23-30
2014
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Lateral-Extended (LatEx.) active for improvement of data retention time for sub 60nm DRAM era
ESSDERC 2007 - 37th European Solid State Device Research Conference, 2007, p.327-329
2007
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A new approach for trap analysis of vertical NAND flash cell using RTN characteristics
2014 IEEE International Electron Devices Meeting, 2014, p.14.5.1-14.5.4
2014
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19.5 Three-dimensional 128Gb MLC vertical NAND Flash-memory with 24-WL stacked layers and 50MB/s high-speed programming
2014 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), 2014, p.334-335
2014
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Improvement of Hot Hole-Induced Degradation in HV Pmosfets
Meeting abstracts (Electrochemical Society), 2016-09, Vol.MA2016-02 (53), p.3907-3907
2016
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The Study of Abnormal Degradation in High-Voltage P-Type Mosfets with N+ Polysilicon Gate during AC Stress
Meeting abstracts (Electrochemical Society), 2015-07, Vol.MA2015-02 (47), p.1872-1872
2015
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Open Access
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Hot Hole-Induced Device Degradation By Drain Junction Reverse Current
Meeting abstracts (Electrochemical Society), 2013-10, Vol.MA2013-02 (23), p.1856-1856
2013
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Theory of thermal noise in long-channel MOS transistors operating before saturation
Solid-state electronics, 1997-12, Vol.41 (12), p.1845-1852
1997
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Optimization study of halo doped MOSFETs
Solid-state electronics, 1996, Vol.39 (6), p.923-927
1996
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A new process integration-P/sup 3/ (pre poly plug)-for giga bit DRAM era
1999 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.99CH36325), 1999, p.37-38
1999
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Device reliability and optimization on halo MOSFETs
Proceedings of 1995 IEEE International Reliability Physics Symposium, 1995, p.271-275
1995
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