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Transient carrier and field dynamics in quantum-well parallel transport: From the ballistic to the quasi-equilibrium regime
IEEE journal of quantum electronics, 1992-10, Vol.28 (10), p.2445-2455
1992
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Effect of thermionic-field emission on effective barrier height lowering in In(0.52)Al(0.48)As Schottky diodes
Applied physics letters, 1993-04, Vol.62 (16), p.1964-1966
1993
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Double modulation-doped AlGaAs/InGaAs heterostructure with a graded composition in the quantum well
Applied physics letters, 1992-10, Vol.61 (16), p.1942-1944
1992
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0.2-micron gate-length atomic-planar doped pseudomorphic Al(0.3)Ga(0.7)As/In(0.25)Ga(0.75)As MODFET's with f(T) over 120 GHz
IEEE electron device letters, 1988-08, Vol.9, p.374-376
1988
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A 0.1-micron gate Al(0.5)In(0.5)As/Ga(0.5)In(0.5)As MODFET fabricated on GaAs substrates
IEEE transactions on electron devices, 1988-07, Vol.35, p.818-823
1988
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Open Access
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Diastolic function and new-onset atrial fibrillation following cardiac surgery
Annals of cardiac anaesthesia, 2015-01, Vol.18 (1), p.8-14
2015
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