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Plasma-Induced Damage in High- k/Metal Gate Stack Dry Etch
IEEE electron device letters, 2006-12, Vol.27 (12), p.972-974
2006
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Effective Modulation of Ni Silicide Schottky Barrier Height Using Chlorine Ion Implantation and Segregation
IEEE electron device letters, 2009-11, Vol.30 (11), p.1140-1142
2009
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High mobility CMOS transistors on Si/SiGe heterostructure channels
Microelectronic engineering, 2012-09, Vol.97, p.26-28
2012
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Comparison of Ohmic contact resistances of n- and p-type Ge source/drain and their impact on transport characteristics of Ge metal oxide semiconductor field effect transistors
Thin solid films, 2011-10, Vol.520 (1), p.442-444
2011
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Impact of Millisecond Flash-Assisted Rapid Thermal Annealing on SiGe Heterostructure Channel pMOSFETs With a High-k/Metal Gate
IEEE transactions on electron devices, 2011-09, Vol.58 (9), p.2917-2923
2011
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Impact of Millisecond Flash-Assisted Rapid Thermal Annealing on SiGe Heterostructure Channel pMOSFETs With a High-[Formula Omitted]/Metal Gate
IEEE transactions on electron devices, 2011-09, Vol.58 (9), p.2917
2011
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Impact of Millisecond Flash-Assisted Rapid Thermal Annealing on SiGe Heterostructure Channel pMOSFETs With a High-κ/Metal Gate
IEEE transactions on electron devices, 2011, Vol.58 (9), p.2917-2923
2011
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Deposition thickness based high-throughput nano-imprint template
Microelectronic engineering, 2007-04, Vol.84 (4), p.594-598
2007
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Demonstration of L \sim \hbox\ \hbox pMOSFETs With \hbox\hbox/\hbox Channels, High I/I\ (≫ \hbox \times \hbox^) , and Controlled Short Channel Effects (SCEs)
IEEE electron device letters, 2008-09, Vol.29 (9), p.1017-1020
2008
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Demonstration of Lg ∼ 55 nm pMOSFETs With Si/Si0.25Ge0.75/Si Channels, High Ion /Ioff (> 5 x 104), and Controlled Short Channel Effects (SCEs)
IEEE electron device letters, 2008, Vol.29 (9), p.1017-1020
2008
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CMOS band-edge schottky barrier heights using dielectric-dipole mitigated (DDM) metal/Si for source/drain contact resistance reduction
2009 Symposium on VLSI Technology, 2009, p.104-105
2009
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Critical Components of FinFet Integration: Examining the Density Trade-off and Process Integration for FinFET Implementation
ECS transactions, 2007-09, Vol.11 (6), p.331-338
2007
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A novel technique to calculate the critical temperature of thermal agglomerations on patterned SOI wafers
2005 IEEE International SOI Conference Proceedings, 2005, p.139-140
2005
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Dual work function high-k/Metal Gate CMOS FinFETs
ESSDERC 2007 - 37th European Solid State Device Research Conference, 2007, p.207-209
2007
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Single Metal Gate with Dual Work Functions for FD-SOI and UTB Double Gate Technologies
2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, 2006, p.25-26
2006
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Highly selective isotropic dry etch based nanofabrication
Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2007-07, Vol.25 (4), p.1416-1419
2007
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Open Access
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Critical Components of FinFet Integration: Examining the Density Trade-off and Process Integration for FinFET Implementation
Meeting abstracts (Electrochemical Society), 2007-09, Vol.MA2007-02 (25), p.1307-1307
2007
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