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Towards Interband Cascade lasers on InP Substrate
Materials, 2021-12, Vol.15 (1), p.60
2021
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Interband Cascade Active Region with Ultra-Broad Gain in the Mid-Infrared Range
Materials, 2021-02, Vol.14 (5), p.1112
2021
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Electrical tuning of the oscillator strength in type II InAs/GaInSb quantum wells for active region of passively mode-locked interband cascade lasers
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-11, Vol.56 (11), p.110301
2017
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Topological phase transitions and a spin-related metallic state in inverted HgTe quantum wells under in-plane magnetic field
Physical review. B, 2021-10, Vol.104 (16), Article L161406
2021
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Effect of Annealing-Induced Interdiffusion on the Electronic Structure of Mid Infrared Emitting GaInAsSb/AlGaInAsSb Quantum Wells
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-03, Vol.50 (3), p.031202-031202-4
2011
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Band Offsets and Photoluminescence Thermal Quenching in Mid-Infrared Emitting GaInAsSb Quantum Wells with Quinary AlGaInAsSb Barriers
Japanese Journal of Applied Physics, 2010-03, Vol.49 (3), p.031202-031202-4
2010
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Effect of Annealing-Induced Interdiffusion on the Electronic Structure of Mid Infrared Emitting GaInAsSb/AlGaInAsSb Quantum Wells
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-03, Vol.50 (3R), p.31202
2011
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Interface Intermixing in Type II InAs/GaInAsSb Quantum Wells Designed for Active Regions of Mid-Infrared-Emitting Interband Cascade Lasers
Nanoscale research letters, 2015-12, Vol.10 (1), p.471-7, Article 471
2015
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Tailoring the effect of electric field in type II W-design InAs/GaInSb quantum well structures for emission up to 12μm
Superlattices and microstructures, 2015-02, Vol.78, p.144-149
2015
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Electronic structure properties of the In(Ga)As/GaAs quantum dot–quantum well tunnel-injection system
Semiconductor science and technology, 2009-08, Vol.24 (8), p.085011-085011 (5)
2009
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Exciton properties in modulation-doped p-type gallium aluminum arsenide/gallium arsenide heterojunctions
2000
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