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Dirac-like band structure of LaTESb2 (TE = Ni, Cu, and Pd) superconductors by DFT calculations
Computational materials science, 2018-11, Vol.154, p.106-110
2018
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LaZn1−xBi2 as a Candidate for Dirac Nodal-Line Intermetallic Systems
Crystals (Basel), 2024-03, Vol.14 (3), p.209
2024
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Tilted Dirac cone gapped due to spin-orbit coupling and transport properties of a 3D metallic system CaIr2Ge2
Journal of alloys and compounds, 2021-03, Vol.858, p.158260, Article 158260
2021
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Antiferromagnetic Ordering and Transport Anomalies in Single-Crystalline CeAgAs2
Materials, 2020-09, Vol.13 (17), p.3865
2020
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Electronic properties of La1−xTlxN systems by abinitio calculations
The Journal of physics and chemistry of solids, 2021-12, Vol.159, Article 110274
2021
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Electronic properties of La1−Tl N systems by ab initio calculations
The Journal of physics and chemistry of solids, 2021-12, Vol.159, p.110274, Article 110274
2021
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LaZn[sub.1−x]Bi[sub.2] as a Candidate for Dirac Nodal-Line Intermetallic Systems
Crystals (Basel), 2024-02, Vol.14 (3)
2024
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Impact of titanium and copper buffer layers on the structure and I-V characteristics of TiO2/CuxO thin film solar cells
Applied surface science, 2025-02, Vol.682, p.161650, Article 161650
2025
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Uchodźstwo, migracje, ucieczka, przesiedlenia, repatriacje jako „uniwersalne” doświadczenie dziejowe – uwagi wprowadzające
Zeszyty naukowe Uniwersytetu Jagiellońskiego. Prace historyczne, 2021-01, Vol.148 (2), p.213-215
2021
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Strain-Balanced InAs/AlSb Type-II Superlattice Structures Growth on GaSb Substrate by Molecular Beam Epitaxy
Materials, 2023-02, Vol.16 (5), p.1968
2023
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Evolution of the surface morphology of GaSb epitaxial layers deposited by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (100) substrates
Surface science, 2025-01, Vol.751, p.122607, Article 122607
2025
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Optimization of MBE-grown GaSb buffer on GaAs substrates for infrared detectors
Opto-electronics review, 2024-10, p.152620-152620
2024
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Open Access
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Interfaces-engineered M-structure for infrared detectors
Opto-electronics review, 2024-01, p.150183-150183
2024
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Initial Optimization of the Growth Conditions of GaAs Homo-Epitaxial Layers after Cleaning and Restarting the Molecular Beam Epitaxy Reactor
ACS omega, 2023-09, Vol.8 (36), p.32998-33005
2023
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REVIEWS
Acta Poloniae Historica, 2019 (120), p.179-219
2019
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