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Comparison of negative tone resists NEB22 and UVN30 in e-beam lithography
Microelectronic engineering, 2000-06, Vol.53 (1), p.461-464
2000
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CMOS device optimization for mixed-signal technologies
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.10.2.1-10.2.4
2001
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High performance 0.13um CMOS with classical architecture
28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, p.156-159
1998
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Measurement techniques for the 3rd PEP round robin
Proceedings of 1994 IEEE 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion - WCPEC (A Joint Conference of PVSC, PVSEC and PSEC), 1994, Vol.1, p.863-866 vol.1
1994
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Implications of pocket optimisation on analog performance in deep sub-micron CMOS
29th European Solid-State Device Research Conference, 1999, Vol.1, p.176-179
1999
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High Performance 0.3 μm CMOS Technology using I-Line Lithography
ESSDERC '96: Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference, 1996, p.597-600
1996
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Metal Gates for 0.15 um CMOS and beyond
29th European Solid-State Device Research Conference, 1999, Vol.1, p.148-151
1999
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Limitations to Adaptive Back Bias Approach for Standby Power Reduction in deep sub-micron CMOS
29th European Solid-State Device Research Conference, 1999, Vol.1, p.580-583
1999
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Accurate thermal noise model for deep-submicron CMOS
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, p.155-158
1999
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Making 50 nm transistors with 248 nm lithography
2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, p.52-53
2000
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RF-distortion in deep-submicron CMOS technologies
International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138), 2000, p.807-810
2000
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