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GaSbBi/GaSb quantum-well and wire laser diodes
Chemical physics letters, 2018-06, Vol.702, p.44-48
2018
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Novel T-shaped GaSb/InAsN quantum wire for mid-infrared laser applications
Physics letters. A, 2017-10, Vol.381 (38), p.3324-3331
2017
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Large optical gain from the 2D-transition metal dichalcogenides of MoS2/WSe2 quantum wells
Superlattices and microstructures, 2018-02, Vol.114, p.379-385
2018
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Design considerations of AlGaInAs quaternary nanowires for mid-infrared applications
Chemical physics letters, 2020-01, Vol.738, p.136872, Article 136872
2020
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Investigation of orientation dependence of piezoelectric effects in strained GaAs/InGaAs quantum well laser
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2021-11, Vol.273, p.115400, Article 115400
2021
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Investigation of α-Sn Dependence of Band Structure and Optical Emission in Si/SiyGe1-x-ySnx/Si Quantum Well Laser
SILICON, 2024-06, Vol.16 (8), p.3573-3581
2024
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Linear and nonlinear exciton polariton dispersion in MoS 2 nanosheets and its nickel doping dependence
Physica scripta, 2024-08, Vol.99 (8), p.85955
2024
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Coupling and interface effects in MoS 2 /WSe 2 van der Waals nanostructure
Advances in natural sciences. Nanoscience and nanotechnology, 2023-12, Vol.14 (4), p.45012
2023
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Tailoring the optical band gap of In–Sn–Zn–O (ITZO) nanostructures with co-doping process on ZnO crystal system: an experimental and theoretical validation
European physical journal plus, 2022-10, Vol.137 (10), p.1137, Article 1137
2022
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Temperature effect on structural, morphological and optical properties of 2D-MoS2 layers: An experimental and theoretical study
Optik (Stuttgart), 2021-02, Vol.228, p.166166, Article 166166
2021
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Coupling and interface effects in MoS2/WSe2 van der Waals nanostructure
Advances in natural sciences. Nanoscience and nanotechnology, 2023-12, Vol.14 (4), p.045012
2023
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High-efficiency of AlInGaN/Al(In)GaN-delta AlGaN quantum wells for deep-ultraviolet emission
Superlattices and microstructures, 2016-10, Vol.98, p.504-514
2016
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Optical Gain in Type-II InAsN/GaSb Strained Quantum Wells Laser Diodes and Its Pressure Dependence
IEEE journal of quantum electronics, 2017-04, Vol.53 (2), p.1-8
2017
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Proposal of InP/AlInGaAs single delta quantum well for fiber-optic communications
Optik (Stuttgart), 2018-04, Vol.158, p.164-169
2018
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Band Structure, Optical Transition, and Optical Gain of Type-II InAs(N)/GaSb Quantum Wells Laser Diodes Modeled Within 16-Band and 14-Band [Formula Omitted] Model
IEEE journal of quantum electronics, 2015-05, Vol.51 (5), p.1
2015
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Band Structure, Optical Transition, and Optical Gain of Type-II InAs(N)/GaSb Quantum Wells Laser Diodes Modeled Within 16-Band and 14-Band kp Model
IEEE journal of quantum electronics, 2015-05, Vol.51 (5), p.1-8
2015
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Oscillator strengths for the intersubband transitions in GaAs/InGa1–xAs quantum wells and its strain dependence
Optik (Stuttgart), 2016-06, Vol.127 (11), p.4903-4908
2016
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Oscillator strengths for the intersubband transitions in GaAs/InGa1–As quantum wells and its strain dependence
Optik (Stuttgart), 2016-06, Vol.127 (11), p.4903-4908
2016
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Luttinger-like parameter calculations
Physical review. B, Condensed matter, 2001-06, Vol.63 (23), Article 235302
2001
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Self-consistent optimization of [111]-AlGaInAs/InP MQWs structures lasing at 1.55 μm by a genetic algorithm
Superlattices and microstructures, 2017-12, Vol.112, p.200-209
2017
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Dependence of hole effective mass on nitrogen concentration in W-type strained InAs(N)/GaSb/InAs(N) quantum well lasers
The European physical journal. B, Condensed matter physics, 2012, Vol.85 (1), Article 39
2012
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[h h l]Orientation dependence of optoelectronic properties in InAsN/GaSb quantum well laser diodes with W and M design
Semiconductor science and technology, 2013-06, Vol.28 (6), p.65006
2013
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Dependence of hole effective mass on nitrogen concentration in W-type strained InAs(N)/GaSb/InAs(N) quantum well lasers
The European physical journal. B, Condensed matter physics, 2012, Vol.85 (1)
2012
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Dependence of hole effective mass on nitrogen concentration in W-type strained InAs quantum well lasers
The European physical journal. B, Condensed matter physics, 2012-01, Vol.85 (1)
2012
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Energy-band structure and optical gain in strained InAs(N)/GaSb/InAs(N) quantum well lasers
Journal of applied physics, 2008-09, Vol.104 (6), p.063706-063706-6
2008
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