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Low-Noise Analog Channel for the Readout of the Si(Li) Detector of the GAPS Experiment
IEEE transactions on nuclear science, 2021-11, Vol.68 (11), p.2661-2669
2021
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Large-area Si(Li) Detectors for X-ray Spectrometry and Particle Tracking for the GAPS Experiment
2019 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC), 2019, p.1-3
2019
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A 32-Channel Readout ASIC for X-Ray Spectrometry and Tracking in the GAPS Experiment
IEEE transactions on nuclear science, 2024-01, Vol.71 (1), p.96-105
2024
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A 32-channels readout ASIC for X-ray spectrometry and tracking in the GAPS experiment
IEEE transactions on nuclear science, 2023-11, Vol.71 (1)
2023
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A mixed-signal processor for X-ray spectrometry and tracking in the GAPS experiment
Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2023-01, Vol.1045, p.167617, Article 167617
2023
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Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications
IEEE transactions on nuclear science, 2019-04, Vol.66 (4), p.752-759
2019
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The MiniSDD-Based 1-Mpixel Camera of the DSSC Project for the European XFEL
IEEE transactions on nuclear science, 2021-06, Vol.68 (6), p.1334-1350
2021
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Ionizing Radiation Effects on the Noise of 65 nm CMOS Transistors for Pixel Sensor Readout at Extreme Total Dose Levels
IEEE transactions on nuclear science, 2018-01, Vol.65 (1), p.550-557
2018
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65-nm CMOS Front-End Channel for Pixel Readout in the HL-LHC Radiation Environment
IEEE transactions on nuclear science, 2017-12, Vol.64 (12), p.2922-2932
2017
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Low-Noise Wide Dynamic Range Charge Sensitive Amplifier in 65 nm CMOS Technology for the Second Flight of the GAPS Experiment
2024 19th Conference on Ph.D Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), 2024, p.1-4
2024
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Charge preamplifier in a 65 nm CMOS technology for pixel readout in the Grad TID regime
2016 16th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2016, p.1-5
2016
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  • BibTeX
Total ionizing dose effects on CMOS devices in a 110 nm technology
2017 13th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), 2017, p.241-244
2017
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