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High frequency characteristics of InAs/GaInAs quantum dot distributed feedback lasers emitting at 1.3 mu m
Electronics letters, 2001-09, Vol.37 (20), p.1223-1225
2001
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Selective growth of InP on focused-ion-beam-modified GaAs surface by hydride vapor phase epitaxy
Applied physics letters, 2001-09, Vol.79 (12), p.1885-1887
2001
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Complex coupled distributed-feedback and Bragg-reflector lasers for monolithic device integration based on focused-ion-beam technology
IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2001-03, Vol.7 (2), p.306-311
2001
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12 mu m long edge-emitting quantum-dot laser
Electronics letters, 2001-05, Vol.37 (11), p.690-691
2001
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Laterally coupled DBR laser emitting at 1.55 μm fabricated by focused ion beam lithography
IEEE photonics technology letters, 2002-08, Vol.14 (8), p.1037-1039
2002
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High-frequency properties of 1.55 μm laterally complex coupled distributed feedback lasers fabricated by focused-ion-beam lithography
Applied physics letters, 2000-07, Vol.77 (3), p.325-327
2000
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Quantum-dot microlasers
Electronics letters, 2000-08, Vol.36 (18), p.1548-1550
2000
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Edge-emitting microlasers with one active layer of quantum dots
IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2001-03, Vol.7 (2), p.300-305
2001
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Nanoscale patterning by focused ion beam enhanced etching for optoelectronic device fabrication
Microelectronic engineering, 2001-09, Vol.57, p.891-896
2001
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1.55 μm single mode lasers with complex coupled distributed feedback gratings fabricated by focused ion beam implantation
Applied physics letters, 1999-09, Vol.75 (11), p.1491-1493
1999
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Grazing-incidence diffraction strain analysis of a laterally-modulated multiquantum well system produced by focused-ion-beam implantation
Applied physics letters, 2000-12, Vol.77 (26), p.4277-4279
2000
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Reactive ion etching of deeply etched DBR-structures with reduced air-gaps for highly reflective monolithically integrated laser mirrors
Microelectronic engineering, 2001-09, Vol.57, p.593-598
2001
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Strain analysis and quantum well intermixing of a laterally modulated multiquantum well system produced by focused ion beam implantation
Journal of physics. D, Applied physics, 2001-05, Vol.34 (10A), p.A11-A14
2001
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12 µm long edge-emitting quantum-dot laser
Electronics letters, 2001-05, Vol.37 (11), p.1
2001
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12 mu m long edge-emitting quantum-dot laser
Electronics letters, 2001-05, Vol.37 (11), p.1-1
2001
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High frequency characteristics of InAs/GaInAs quantum dot distributed feedback lasers emitting at 1.3 [micro sign]m
Electronics letters, 2001, Vol.37 (20), p.1223
2001
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12 [micro sign]m long edge-emitting quantum-dot laser
Electronics letters, 2001, Vol.37 (11), p.690
2001
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Laterally coupled DBR laser emitting at 1.55 mum fabricated by focused ion beam lithography
IEEE photonics technology letters, 2002-08, Vol.14 (8), p.1037-1039
2002
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Laterally coupled DBR laser emitting at 1.55 micron fabricated by focused ion beam lithography
IEEE photonics technology letters, 2002-08, Vol.14 (8), p.1037-1039
2002
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Laterally coupled DBR laser emitting at 1.55 [mu]m fabricated by focused ion beam lithography
IEEE photonics technology letters, 2002-08, Vol.14 (8), p.1037
2002
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High frequency characteristics of InAs/GaInAs quantum dot distributed feedback lasers emitting at 1.3µm
Electronics letters, 2001-09, Vol.37 (20), p.1
2001
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High frequency characteristics of InAs/GaInAs quantum dot distributed feedback lasers emitting at 1.3 mu m
Electronics letters, 2001-09, Vol.37 (20), p.1-1
2001
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Quantum-dot microlasers
Electronics letters, 2000-08, Vol.36 (18), p.1-1
2000
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Monolithic integration of laterally complex coupled DFB lasers with passive waveguides by positive wavelength detuning
Conference Digest. 2000 IEEE 17th International Semiconductor Laser Conference. (Cat. No.00CH37092), 2000, p.81-82
2000
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Edge-emitting microlasers with a single quantum dot active layer
Conference Digest. 2000 IEEE 17th International Semiconductor Laser Conference. (Cat. No.00CH37092), 2000, p.139-140
2000
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