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Growth and Electrical Transport Properties of (SnO2)х(In2O3)1 –х (x = 0–1) Films
Inorganic materials, 2020-03, Vol.56 (3), p.277-285
2020
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Prospects for the use of metal-oxide semiconductors in energy converters
Applied solar energy, 2019, Vol.55 (1), p.5-7
2019
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Amorphous Films of Ternary Zinc and Tin Oxides for Transparent Electronics
Technical physics letters, 2018-11, Vol.44 (11), p.984-987
2018
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Synthesis of Zn2SnO4 powders via hydrothermal method for ceramic targets
Journal of the European Ceramic Society, 2015-11, Vol.35 (14), p.3885-3892
2015
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Influence of silicon impurity on the structure and physical properties of Sn-Si-O films
Letters on Materials, 2020, Vol.10 (4), p.469-474
2020
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Influence of Al impurities on the electrical properties of ZnO films
Letters on Materials, 2019-08, Vol.9 (3), p.288-293
2019
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Light-induced mechanical oscillations in GaAs single crystals
Technical physics letters, 2006-06, Vol.32 (6), p.479-480
2006
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Physical properties of SnO2 films subjected to incoherent pulsed radiation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2006-01, Vol.40 (1), p.55-58
2006
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Synthesis of compositionally different multicomponent metal-oxide films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-08, Vol.48 (8), p.1118
2014
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Effect of catalytic surface modification on the gas sensitivity of SnO2 + 3% SiO2 films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-09, Vol.49 (9), p.1237-1241
2015
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The microstructure and physical properties of thin SnO2 films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2001-07, Vol.35 (7), p.762-765
2001
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Photoconductivity of copper-compensated gallium phosphide
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 1998-10, Vol.32 (10), p.1040-1043
1998
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Synthesis, structure and electrical properties of [ nanocomposites
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-11, Vol.45 (11), p.1479
2011
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Synthesis of compositionally different multicomponent metal-oxide films (SnO2)x(ZnO)1 − x (x = 1–0.5)
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-08, Vol.48 (8), p.1118-1122
2014
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Electrical and gas-sensitive properties of a SnO2-based nanocomposite with multiwalled carbon nanotubes
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-09, Vol.46 (9), p.1190-1193
2012
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Electrical Resistivity and Gas Response Mechanisms of Nanocrystalline SnO2 Films in a Wide Temperature Range
Physica status solidi. A, Applied research, 2000-05, Vol.179 (1), p.147-152
2000
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Influence of light on the adsorption processes during interaction between reducer gases and a SnO2 film
Technical physics letters, 2015-12, Vol.41 (12), p.1128-1131
2015
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Synthesis,Structure and Electrical Properties of(SnO2)x(In2O3)1−x(x=0.5–1) Nanocomposites
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-11, Vol.45 (11), p.1479-1482
2011
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Photopiezoelectric induction of resonant acoustic waves in semi-insulating gallium arsenide single crystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-12, Vol.45 (12), p.1550-1554
2011
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Relaxation of optically stimulated resistance of thin SnO2 films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-06, Vol.43 (6), p.782-786
2009
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Electrical and gas-sensitive properties of nanostructured SnO2:ZrO2 semiconductor films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-05, Vol.45 (5), p.603-606
2011
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Relaxation of optically stimulated resistance of thin SnO{sub 2} films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-06, Vol.43 (6)
2009
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Electrical and gas-sensitive properties of nanostructured SnO{sub 2}:ZrO{sub 2} semiconductor films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-05, Vol.45 (5)
2011
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Effect of optical radiation on internal friction in piezoelectric semiconductors with deep-level centers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2002-02, Vol.36 (2), p.130-135
2002
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Acoustic Probing of Deep Centres in III-V Semiconductors
Physica status solidi. A, Applied research, 1990-06, Vol.119 (2), p.535-544
1990
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