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Effect of Rapid Thermal Annealing on the Electrical Characteristics of ZnO Thin-Film Transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 2008-04, Vol.47 (4S), p.2848
2008
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Improved Characteristics of Metal Organic Chemical Vapor Deposition-Grown ZnO Thin-Film Transistors by Controlling VI/II Ratio of ZnO Film Growth and Using a Modified Thin-Film Transistor Layer Structure
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-04, Vol.50 (4), p.04DJ08-04DJ08-6
2011
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Improved Characteristics of Metal Organic Chemical Vapor Deposition-Grown ZnO Thin-Film Transistors by Controlling VI/II Ratio of ZnO Film Growth and Using a Modified Thin-Film Transistor Layer Structure
Japanese Journal of Applied Physics, 2011-04, Vol.50 (4S), p.4
2011
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Enhancement-Mode Metal Organic Chemical Vapor Deposition-Grown ZnO Thin-Film Transistors on Glass Substrates Using N2O Plasma Treatment
Jpn J Appl Phys, 2010-04, Vol.49 (4), p.04DF20-04DF20-7
2010
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Circular electrodes to reduce the current variation of OTFTs with the drop-casted semiconducting layer
Solid-state electronics, 2018-06, Vol.144, p.49-53
2018
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Impact of Hydrogenation of ZnO TFTs by Plasma-Deposited Silicon Nitride Gate Dielectric
IEEE transactions on electron devices, 2008-10, Vol.55 (10), p.2736-2743
2008
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Stable gallium arsenide MIS capacitors and MIS field effect transistors by (NH4)2Sx treatment and hydrogenation using plasma deposited silicon nitride gate insulator
IEEE transactions on electron devices, 2002-03, Vol.49 (3), p.343
2002
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Enhancement-Mode Metal Organic Chemical Vapor Deposition-Grown ZnO Thin-Film Transistors on Glass Substrates Using N 2 O Plasma Treatment
Japanese Journal of Applied Physics, 2010-04, Vol.49 (4S), p.4
2010
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Stable gallium arsenide MIS capacitors and MIS field effect transistors by (NH sub(4)) sub(2)S sub(x) treatment and hydrogenation using plasma deposited silicon nitride gate insulator
IEEE transactions on electron devices, 2002-03, Vol.49 (3), p.343-353
2002
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Modeling of fringe current for semiconductor-extended organic TFTs
2016 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2016, p.177-180
2016
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