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Electronic transport in organometallic perovskite CH3NH3PbI3: The role of organic cation orientations

Applied physics letters, 2016-02, Vol.108 (5)

2016

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First principles calculations for defects in U

Journal of physics. Condensed matter, 2010-12, Vol.22 (50), p.505703-505703

2010

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Optimized Ni 1- x Al x O hole transport layer for silicon solar cells

RSC advances, 2020-06, Vol.10 (38), p.22377-22386

2020

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First-principles calculations of the stability and incorporation of helium, xenon and krypton in uranium

Journal of nuclear materials, 2012-06, Vol.425 (1-3), p.2-7

2012

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Aberration-corrected scanning transmission electron microscopy: from atomic imaging and analysis to solving energy problems

Philosophical transactions of the Royal Society of London. Series A: Mathematical, physical, and engineering sciences, 2009-09, Vol.367 (1903), p.3709-3733

2009

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Effects of hydrogen motion on interface trap formation and annealing

IEEE transactions on nuclear science, 2004-12, Vol.51 (6), p.3158-3165

2004

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Implementing first principles calculations of defect migration in a fuel performance code for UN simulations

Journal of nuclear materials, 2009-09, Vol.393 (2), p.292-299

2009

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Helium behavior in oxide nuclear fuels: First principles modeling

Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2010-10, Vol.268 (19), p.3090-3094

2010

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Optimized Ni1−xAlxO hole transport layer for silicon solar cells

RSC advances, 2020-06, Vol.10 (38), p.22377-22386

2020

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The E′ center and oxygen vacancies in SiO2

Journal of non-crystalline solids, 2008-01, Vol.354 (2-9), p.217-223

2008

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Performance, reliability, radiation effects, and aging issues in microelectronics – From atomic-scale physics to engineering-level modeling

Solid-state electronics, 2010-09, Vol.54 (9), p.841-848

2010

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Reactions and diffusion of water and oxygen molecules in amorphous SiO2

Physical review letters, 2002-02, Vol.88 (5), p.055508-055508

2002

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Physical model for enhanced interface-trap formation at low dose rates

IEEE transactions on nuclear science, 2002-12, Vol.49 (6), p.2650-2655

2002

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Dual Nanoparticle/Substrate Control of Catalytic Dehydrogenation

Advanced materials (Weinheim), 2007-08, Vol.19 (16), p.2129-2133

2007

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Proton-induced defect generation at the Si-SiO)2)interface

IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.2086-2092

2001

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Si/SiO2 and SiC/SiO2 Interfaces for MOSFETs – Challenges and Advances

Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.935-948

2006

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Single Hf atoms inside the ultrathin SiO2 interlayer between a HfO2 dielectric film and the Si substrate: How do they modify the interface?

Microelectronic engineering, 2005-06, Vol.80, p.416-419

2005

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Effects of Hydrogen on the Radiation Response of Bipolar Transistors: Experiment and Modeling

IEEE transactions on nuclear science, 2008-12, Vol.55 (6), p.3039-3045

2008

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Role of electronic versus atomic relaxations in Stokes shifts at defects in solids

Physical review letters, 2003-11, Vol.91 (22), p.226402-226402, Article 226402

2003

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Characterization of charge-carrier dynamics in thin oxide layers on silicon by second harmonic generation

Physical review. B, Condensed matter, 2002-05, Vol.65 (19), Article 193103

2002

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Reactions of hydrogen with Si-SiO2 interfaces

IEEE transactions on nuclear science, 2000-12, Vol.47 (6), p.2262-2268

2000

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Quasiclassical theory of spontaneous currents at surfaces and interfaces of d-wave superconductors

Physica. B, Condensed matter, 2002-06, Vol.318 (2), p.162-179

2002

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Thermal stability and catalytic activity of gold nanoparticles supported on silica

Journal of catalysis, 2009-02, Vol.262 (1), p.92-101

2009

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Statistical modeling of radiation-induced proton transport in silicon: deactivation of dopant acceptors in bipolar devices

IEEE transactions on nuclear science, 2003-12, Vol.50 (6), p.1896-1900

2003

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Proton-induced defect generation at the Si-SiO2 interface

IEEE transactions on nuclear science, 2001-12, Vol.48 (6), p.2086-2092

2001

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