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Organic field effect transistors (OFETs) in environmental sensing and health monitoring: A review
TrAC, Trends in analytical chemistry (Regular ed.), 2019-02, Vol.111, p.27-36
2019
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An ultra-sensitive piezoresistive polymer nano-composite microcantilever sensor electronic nose platform for explosive vapor detection
Sensors and actuators. B, Chemical, 2014-03, Vol.192, p.444-451
2014
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Anomalous diffusion mediated kinetic modelling of surface-stress sensors
Sensors and actuators. B, Chemical, 2016-01, Vol.222, p.525-530
2016
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Vibtrational energy harvesting using photo-patternable piezoelectric nanocomposite cantilevers
Nano energy, 2013-09, Vol.2 (5), p.923-932
2013
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Comparison among different algorithms in classifying explosives using OFETs
Sensors and actuators. B, Chemical, 2013-01, Vol.176, p.46-51
2013
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Electric field tailoring in MBE-grown vertical sub-100 nm MOSFETs
Thin solid films, 1998-05, Vol.321 (1), p.206-214
1998
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Application of charge pumping technique for sub-micron MOSFET characterization
Microelectronic engineering, 1998-11, Vol.40 (3), p.131-146
1998
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Anisotropic Strain Effect on Electron Transport in C60 Organic Field Effect transistors
MRS proceedings, 2013, Vol.1501 (1)
2013
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Anisotropic Strain Effect on Electron Transport in C 60 Organic Field Effect transistors
MRS proceedings, 2013, Vol.1501, Article mrsf12-1501-p07-05
2013
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Analysis of Threshold Voltage Variations in Fin Field Effect Transistors
Key engineering materials, 2011-01, Vol.470, p.194-200
2011
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Low power, area efficient, and temperature-variation tolerant bidirectional current source for sensor applications
Microelectronics, 2016-03, Vol.49, p.29-35
2016
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A simple and direct technique for interface characterization of SOI MOSFETs and its application in hot carrier degradation studies in sub-100 nm JVD MNSFETs
Microelectronic engineering, 2001-11, Vol.59 (1), p.429-433
2001
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Ultra-thin silicon nitride by hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) for deep sub-micron CMOS technologies
Microelectronic engineering, 2002-07, Vol.61, p.625-629
2002
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Polarity Dependence of Degradation in Ultra Thin Oxide and JVD Nitride Gate Dielectrics
MRS proceedings, 2002, Vol.716, Article B7.22
2002
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Improvement in Gate Dielectric Quality of Ultra Thin a: SiN:H MNS Capacitor by Hydrogen Etching of the Substrate
MRS proceedings, 2002, Vol.716, Article B4.8
2002
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A study of 100 nm channel length asymmetric channel MOSFET by using charge pumping
Microelectronic engineering, 1999, Vol.48 (1), p.193-196
1999
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