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Gaugino Masses from Misaligned Supersymmetry Breaking and R-Symmetry Breaking Spurions
Symmetry (Basel), 2023-03, Vol.15 (3), p.566
2023
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Aptamer-Based Targeted Protein Degradation
ACS nano, 2023-04, Vol.17 (7), p.6150-6164
2023
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RAGE signaling pathway is involved in CUS-induced depression-like behaviors by regulating the expression of NR2A and NR2B in rat hippocampus DG
Experimental neurology, 2023-03, Vol.361, p.114299-114299, Article 114299
2023
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Preparation and electrical properties of N-doped ZnSnO thin film transistors
Journal of alloys and compounds, 2018-05, Vol.745, p.256-261
2018
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High-performance transparent Li-doped indium-tin-zinc-oxide thin film transistor fabricated by radio frequency magnetron sputtering method
Materials letters, 2018-11, Vol.230, p.132-134
2018
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Preparation and electrical characteristics of N-doped In-Zn-Sn-O thin film transistors by radio frequency magnetron sputtering
Journal of alloys and compounds, 2018-06, Vol.750, p.1003-1006
2018
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Room-temperature fabrication of bilayer InZnO:Li/MgZnO:Li thin film transistors using radio frequency magnetron sputtering
Journal of physics. D, Applied physics, 2018-06, Vol.51 (25), p.255105
2018
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High-performance thin film transistors based on amorphous Al–N co-doped InZnO films prepared by RF magnetron sputtering
Journal of materials science. Materials in electronics, 2019-05, Vol.30 (10), p.9872-9876
2019
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Fabrication and electrical characteristics of Li-N co-doped InZnO TFTs prepared by radio frequency magnetron
Journal of alloys and compounds, 2017-04, Vol.702, p.659-663
2017
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Preparation and effects of O2 flow on the electrical characteristics of Li doped MgZnO thin film transistors
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2017-05, Vol.35 (3)
2017
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Double active layer InZnO:N/InZnSnO thin film transistors with high mobility at low annealing temperature
Journal of materials science. Materials in electronics, 2019-01, Vol.30 (2), p.1496-1499
2019
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