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Electrical characterization and modelling of n–n Ge-Si heterojunctions with relatively low interface state densities
Journal of applied physics, 2012-12, Vol.112 (12)
2012
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Solid phase epitaxy of Ge films on CaF2/Si(1 1 1)
Applied surface science, 2007-10, Vol.254 (1), p.143-147
2007
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Influence of oval defects on transport properties in high-mobility two-dimensional electron gases
Applied physics letters, 2016-02, Vol.108 (9)
2016
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Doping and temperature dependence of nuclear spin relaxation in n -type GaAs
Physical review. B, 2020-12, Vol.102 (23), p.1, Article 235205
2020
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Closing the gap between spatial and spin dynamics of electrons at the metal-to-insulator transition
Physical review. B, 2017-07, Vol.96 (4), Article 045201
2017
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Temperature-dependent electron spin relaxation at the metal-to-insulator transition in n -type GaAs
Physical review. B, 2022-09, Vol.106 (12), Article 125202
2022
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Solid phase epitaxy of Ge films on CaF 2/Si(1 1 1)
Applied surface science, 2007-10, Vol.254 (1), p.143-147
2007
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Electrical transport in ultrathin Cs layers on Si(001)
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2005-09, Vol.72 (11), p.115422.1-115422.8, Article 115422
2005
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Experimental investigation of two-dimensional plasmons in a DySi 2 monolayer on Si(111)
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2008-10, Vol.78 (15), Article 155402
2008
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Influence Of Sb Induced Surface Faceting On Structural Properties Of Relaxed Ge Films On Si(001)
29th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2008-07, Vol.1199, p.15-16
2008
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Relaxed Germanium on Porous Silicon Substrates
2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), 2012, p.1-2
2012
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Circular photonic crystal grating design for charge-tunable quantum light sources in the telecom C-band
Optics express, 2024-04, Vol.32 (8), p.14789-14800
2024
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