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2016
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IEEE transactions on nuclear science, 2019-07, Vol.66 (7), p.1628-1633
2019
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2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT), 2012, p.133-134
- Planes, N.
- Weber, O.
- Barral, V.
- Haendler, S.
- Noblet, D.
- Croain, D.
- Bocat, M.
- Sassoulas, P.
- Federspiel, X.
- Cros, A.
- Bajolet, A.
- Richard, E.
- Dumont, B.
- Perreau, P.
- Petit, D.
- Golanski, D.
- Fenouillet-Beranger, C.
- Guillot, N.
- Rafik, M.
- Huard, V.
- Puget, S.
- Montagner, X.
- Jaud, M.
- Rozeau, O.
- Saxod, O.
- Wacquant, F.
- Monsieur, F.
- Barge, D.
- Pinzelli, L.
- Mellier, M.
- Boeuf, F.
- Arnaud, F.
- Haond, M.
2012
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2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015, p.T48-T49
- Batude, P.
- Fenouillet-Beranger, C.
- Pasini, L.
- Lu, V.
- Deprat, F.
- Brunet, L.
- Sklenard, B.
- Piegas-Luce, F.
- Casse, M.
- Mathieu, B.
- Billoint, O.
- Cibrario, G.
- Turkyilmaz, O.
- Sarhan, H.
- Thuries, S.
- Hutin, L.
- Sollier, S.
- Widiez, J.
- Hortemel, L.
- Tabone, C.
- Samson, M.-P
- Previtali, B.
- Rambal, N.
- Ponthenier, F.
- Mazurier, J.
- Beneyton, R.
- Bidaud, M.
- Josse, E.
- Petitprez, E.
- Rozeau, O.
- Rivoire, M.
- Euvard-Colnat, C.
- Seignard, A.
- Fournel, F.
- Benaissa, L.
- Coudrain, P.
- Leduc, P.
- Hartmann, J.-M
- Besson, P.
- Kerdiles, S.
- Bout, C.
- Nemouchi, F.
- Royer, A.
- Agraffeil, C.
- Ghibaudo, G.
- Signamarcheix, T.
- Haond, M.
- Clermidy, F.
- Faynot, O.
- Vinet, M.
2015
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Solid-state electronics, 2009-05, Vol.53 (5), p.504-513
2009
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2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2020, p.1-2
- Cavalcante, C.
- Fenouillet-Beranger, C.
- Batude, P.
- Garros, X.
- Federspiel, X.
- Lacord, J.
- Kerdiles, S.
- Royet, A. S.
- Acosta-Alba, P.
- Rozeau, O.
- Barral, V.
- Arnaud, F.
- Planes, N.
- Sassoulas, P. O.
- Ghegin, E.
- Beneyton, R.
- Gregoire, M.
- Weber, O.
- Guerin, C.
- Arnaud, L.
- Moreau, S.
- Kies, R.
- Romano, G.
- Rambal, N.
- Magalhaes, A.
- Ghibaudo, G.
- Colinge, J. P.
- Vinet, M.
- Andrieu, F.
2020
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IEEE transactions on electron devices, 2009-07, Vol.56 (7), p.1473-1482
2009
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Solid-state electronics, 2014-07, Vol.97, p.45-51
2014
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2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015, p.T116-T117
2015
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2015 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE), 2015, p.1192-1196
2015
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2010 Symposium on VLSI Technology, 2010, p.57-58
- Andrieu, F
- Weber, O
- Mazurier, J
- Thomas, O
- Noel, J.-P
- Fenouillet-Béranger, C
- Mazellier, J.-P
- Perreau, P
- Poiroux, T
- Morand, Y
- Morel, T
- Allegret, S
- Loup, V
- Barnola, S
- Martin, F
- Damlencourt, J.-F
- Servin, I
- Cassé, M
- Garros, X
- Rozeau, O
- Jaud, M.-A
- Cibrario, G
- Cluzel, J
- Toffoli, A
- Allain, F
- Kies, R
- Lafond, D
- Delaye, V
- Tabone, C
- Tosti, L
- Brévard, L
- Gaud, P
- Paruchuri, V
- Bourdelle, K K
- Schwarzenbach, W
- Bonnin, O
- Nguyen, B.-Y
- Doris, B
- Bœuf, F
- Skotnicki, T
- Faynot, O
2010
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Thin solid films, 2007-07, Vol.515 (19), p.7422-7427
2007
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2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, p.1-2
- Grenouillet, L.
- Liu, Q.
- Wacquez, R.
- Morin, P.
- Loubet, N.
- Cooper, D.
- Pofelski, A.
- Weng, W.
- Bauman, F.
- Gribelyuk, M.
- Wang, Y.
- De Salvo, B.
- Gimbert, J.
- Cheng, K.
- Le Tiec, Y.
- Chanemougame, D.
- Augendre, E.
- Maitrejean, S.
- Khakifirooz, A.
- Kuss, J.
- Schulz, R.
- Janicki, C.
- Lherron, B.
- Guillaumet, S.
- Rozeau, O.
- Chafik, F.
- Bataillon, J. L.
- Wu, T.
- Kleemeier, W.
- Celik, M.
- Faynot, O.
- Sampson, R.
- Doris, B.
- Vinet, M.
2013
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IEEE transactions on electron devices, 2015-09, Vol.62 (9), p.2751-2759
2015
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Solid-state electronics, 2023-01, Vol.199, p.108511, Article 108511
2023
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2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), 2015, p.T50-T51
- Pasini, L.
- Batude, P.
- Casse, M.
- Mathieu, B.
- Sklenard, B.
- Luce, F. Piegas
- Reboh, S.
- Bernier, N.
- Tabone, C.
- Rozeau, O.
- Martini, S.
- Fenouillet-Beranger, C.
- Brunet, L.
- Audoit, G.
- Lafond, D.
- Aussenac, F.
- Allain, F.
- Romano, G.
- Barraud, S.
- Rambal, N.
- Barral, V.
- Hutin, L.
- Hartmann, J.-M
- Besson, P.
- Kerdiles, S.
- Haond, M.
- Ghibaudo, G.
- Vinet, M.
2015
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2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017, p.29.2.1-29.2.4
2017
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2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2015, p.313-316
2015
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2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, p.1-2
2013
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IEEE transactions on electron devices, 2012-08, Vol.59 (8), p.2019-2026
2012
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2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2015, p.206-209
2015
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IEEE transactions on electron devices, 2015-09, Vol.62 (9), p.2760-2768
2015
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IEEE transactions on electron devices, 2011-08, Vol.58 (8), p.2326-2336
2011
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2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, p.1-2
2013
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2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2016, p.17.6.1-17.6.4
- Barraud, S.
- Lapras, V.
- Samson, M. P.
- Gaben, L.
- Grenouillet, L.
- Maffini-Alvaro, V.
- Morand, Y.
- Daranlot, J.
- Rambal, N.
- Previtalli, B.
- Reboh, S.
- Tabone, C.
- Coquand, R.
- Augendre, E.
- Rozeau, O.
- Hartmann, J. M.
- Vizioz, C.
- Arvet, C.
- Pimenta-Barros, P.
- Posseme, N.
- Loup, V.
- Comboroure, C.
- Euvrard, C.
- Balan, V.
- Tinti, I.
- Audoit, G.
- Bernier, N.
- Cooper, D.
- Saghi, Z.
- Allain, F.
- Toffoli, A.
- Faynot, O.
- Vinet, M.
2016
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